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J-GLOBAL ID：201702232107982195   整理番号：17A0244930

すず(II)複合酸化物SnNb₂O₆の電子構造および欠陥化学

Electronic Structure and Defect Chemistry of Tin(II) Complex Oxide SnNb₂O₆

著者 (6件)： KATAYAMA Shota (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HAYASHI Hiroyuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KUMAGAI Yu (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  OBA Fumiyasu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OBA Fumiyasu (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  TANAKA Isao (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 120  号： 18  ページ： 9604-9611  発行年： 2016年05月12日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 計算および実験手法の組み合わせを用いて,SnNb₂O₆の電子構造を調べた。多様な半導体の電子構造がより正確な記述できるハイブリッド密度汎関数を用いた第一原理計算をおこない,バンド構造,光学特性,および欠陥エネルギー論を予測した。さらに,高配向SnNb₂O₆薄膜のエピタキシャル成長をはじめて報告し,その吸収係数および電気伝導度を調べた。SnNb₂O₆中の関連する生得の点欠陥の理論的形成エネルギーに基づき,キャリアドーピングの可能性が議論された。固体反応によって作製された未ドープ薄膜およびドープ焼結試料のどちらも高い電気抵抗を示し,これは酸素空孔およびニオブ上すずアンチサイト欠陥による電荷補償によるものであることがわかった。

シソーラス用語： *ニオブ化合物 ,  *スズ化合物 ,  *酸化物 ,  化合物半導体 ,  *電子構造 ,  欠陥 ,  密度汎関数法 ,  計算 ,  薄膜
準シソーラス用語： エピタキシャル膜 ,  酸化物半導体 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： すず ,  複合酸化物 ,  電子構造 ,  欠陥 ,  化学