文献

J-GLOBAL ID：201702232113362432   整理番号：17A1420982

原子層蒸着したVO_2薄膜の温度と電場誘起金属-絶縁体転移【Powered by NICT】

Temperature and electric field induced metal-insulator transition in atomic layer deposited VO₂ thin films

著者 (7件)： Tadjer Marko J. (United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA) ,  Wheeler Virginia D. (United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA) ,  Downey Brian P. (United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA) ,  Robinson Zachary R. (The College at Brockport, SUNY, NY, USA) ,  Meyer David J. (United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA) ,  Eddy Charles R. (United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA) ,  Kub Fritz J. (United States Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 136  ページ： 30-35  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(A LD)により堆積した非晶質酸化バナジウム(VO_2)膜を低酸素圧(10~ 4~10~ 5Torr)下で1~2h660 670°Cでex situアニールで結晶化した。これらの条件下で結晶VO_2相は維持され,一方,V_2O_5相の形成は抑制された。金属相から絶縁体へのからの電気的転移は37 60°Cの範囲で観察され,約750とΔT_C≒7 10°CまでのR_OFF/R_ON比であった。二端子素子構造に印加した横方向電場は可逆的相変化を誘導し,2H長O_2アニール処理したVO_2試料では約25kV/cmの室温転移。磁場誘起MIT I-Vヒステリシスの幅と傾斜の両方はVO_2結晶品質に依存した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *金属-絶縁体転移 ,  相転移 ,  *電場 ,  ヒステリシス ,  焼なまし ,  *絶縁体 ,  非晶質 ,  結晶化 ,  素子構造 ,  酸化バナジウム ,  結晶
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  磁場誘起 ,  金属相 ,  酸素分圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層蒸着 ,  薄膜 ,  電場 ,  誘起 ,  金属-絶縁体転移