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J-GLOBAL ID：201702232258832740   整理番号：17A1036323

企業固体ドライブのための中期1X TLC NANDフラッシュメモリにおける均一と濃度読み妨害効果【Powered by NICT】

Uniform and concentrated read disturb effects in mid-1X TLC NAND flash memories for enterprise solid state drives

著者 (5件)： Zambelli Cristian (Dipartimento di Ingegneria, Universita` degli Studi di Ferrara, Via Saragat 1, Ferrara, 44122, Italy) ,  Olivo Piero (Dipartimento di Ingegneria, Universita` degli Studi di Ferrara, Via Saragat 1, Ferrara, 44122, Italy) ,  Crippa Luca (Microsemi Corporation, Vimercate, Italy, 20871) ,  Marelli Alessia (Microsemi Corporation, Vimercate, Italy, 20871) ,  Micheloni Rino (Dipartimento di Ingegneria, Universita` degli Studi di Ferrara, Via Saragat 1, Ferrara, 44122, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： PM-5.1-PM-5.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 利用モデルは主に読取り集約型アプリケーションに基づいているので,読出し攪乱はTLC NANDフラッシュメモリにおける最も重要な問題の一つである。この問題に対するメモリの最新の試験と認定は同量読み取りのメモリブロックを強調し均一に行った。しかし,いくつかの作業負荷を解析することにより,読み出し動作は特定のページ領域に集中しており。本研究では,均一性及び集中読出し攪乱下で中1X TLC NANDフラッシュの異なる挙動を特性化した。結果は,異なる誤差補正戦略とデータ管理政策を用いた企業ソリッドステートドライブの信頼性に対する作業負荷利用モデルの意味を推測するために使用されている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： データ管理 ,  集中化 ,  *記憶装置 ,  *フラッシュメモリ ,  応用プログラム ,  キャラクタリゼーション ,  信頼性 ,  誤り訂正
準シソーラス用語： ソリッドステートドライブ ,  読出し ,  *NAND , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 企業 ,  固体 ,  ドライブ ,  中期 ,  TLC ,  NANDフラッシュメモリ ,  妨害