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J-GLOBAL ID：201702232398513553   整理番号：17A1181873

Ag(001)上の超薄V_2O_3(0001)膜の構造,電子構造,及び金属-絶縁体転移の厚さに依存する発展【Powered by NICT】

Thickness-dependent evolution of structure, electronic structure, and metal-insulator transition in ultrathin V₂O₃(0001) films on Ag(001)

著者 (2件)： Kundu Asish K. (Surface Physics and Material Science Division, Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India) ,  Menon Krishnakumar S.R. (Surface Physics and Material Science Division, Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 659  ページ： 43-51  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル六方晶V_2O_3(0001)膜は1 20単分子層等量(MLE)の範囲の被覆率で立方晶Ag(001)基板上に成長させた,それらの構造,電子構造と低エネルギー電子回折(LEED),X線光電子分光法(XPS)および角度分解光電子放出分光法(ARPES)法を用いて金属-絶縁体転移(MIT)を研究した。詳細なLEEDとXPS研究は,低い膜被覆率(~1 MLE)のための,複雑な(の共存相)酸化バナジウムが形成される3MLE被覆率から,V_2O_3の三次元微結晶がエピタキシャル成長することを明らかにした。LEEDの結果もV_2O_3(0001)の六方晶表面は双晶分域構造の形成により正方対称性基板上,各ドメインは90~Oによる回転に安定化ことを示した。本研究の光発光結果はV_2O_3の表面はバルクよりも絶縁,プロービング深さを変えても,価電子帯電子構造に基づいて議論した多くの強相関酸化物表面の場合と類似していた。表面電子構造の発展を,膜厚の関数として調べた。さらに,金属-絶縁体転移(MIT)に及ぼす格子歪,膜厚およびドメイン形成の影響を検討した。Vの3dの(a_1g,egπ)と(e g π , e g π)軌道,準粒子(QP)ピークとFermi準位でエネルギーギャップが開くの消失の軌道占有率の変化は,MITの結果としての臨界温度以下で観測された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化バナジウム ,  六方晶系 ,  *電子構造 ,  Fermi準位 ,  価電子バンド ,  単分子層 ,  *絶縁体 ,  膜厚 ,  X線光電子スペクトル ,  *金属-絶縁体転移 ,  エネルギーギャップ ,  被覆率 ,  格子歪 ,  エピタクシー ,  低速電子回折 ,  準粒子

著者キーワード (4件)： 酸化物薄膜 ,  表面構造 ,  光電子分光 ,  金属-絶縁体転移

分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ag ,  電子構造 ,  金属-絶縁体転移 ,  厚さ ,  発展