GaNナノフラワーを用いた高応答性自己駆動紫外光検出器【Powered by NICT】

Aggarwal Neha; Krishna Shibin; Sharma Alka; Goswami Lalit; Kumar Dinesh; Husale Sudhir; Gupta Govind

文献

J-GLOBAL ID：201702232440026623 整理番号：17A1164736

GaNナノフラワーを用いた高応答性自己駆動紫外光検出器【Powered by NICT】

A Highly Responsive Self-Driven UV Photodetector Using GaN Nanoflowers

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資料名：
巻： 3 号： 5 ページ： ROMBUNNO.201700036 発行年： 2017年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

悪環境における手術可能であることを光電子デバイスのための需要増加は,紫外(UV)放射の検出を必要とする。,自己駆動,高感度,高速応答GaNナノフラワーに基づくUV光検出器を報告した。ユニークな構造を開発することにより,光吸収を効率的に増加し,10.5A W~ 1の最大応答度は,1Vバイアスで達成した。報告された応答性はSi基板と市販入手可能なSi系UV光検出器上のGaN UV光検出器の中で最高である。自己駆動条件下で,光検出器は非常に高い応答性(132 mA W~ 1)と検出能(2.4×10~10Jones)と非常に低い暗電流(≒nA)を示した。≒260の顕著に高い明暗電流比は平面GaNベース光検出器と比較して非常に高い光検出利得を示した。自己駆動とバイアス光検出器素子は,非常に安定な立ち上がりと減衰時間応答が得られた。バンド理論に基づくモデルを自己駆動光検出器の起源を明らかにした。革新的成長設計構造の実施は,UV信号はUV光検出器の既存技術を置換できるに対する例外的に高い感度を保証する。高表面/体積比の利点を持つGaNナノフラワー状構造に基づくデバイスからの高応答性と検出感度は自己駆動紫外光検出器のようなナノスケール光電子高性能デバイスの作製において多数の応用を持つ可能性がある。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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測光と光検出器一般

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