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J-GLOBAL ID：201702232490067843   整理番号：17A1025870

非平坦ミラープラトー領域を持つSiC MOSFETのスイッチング損失【Powered by NICT】

Estimating switching losses for SiC MOSFETs with non-flat miller plateau region

著者 (4件)： Agrawal Bharat (Department of Electrical and Computer Engineering, McMaster University, Canada) ,  Freindl Matthias (Department of Electrical Engineering, Columbia University, New York, USA) ,  Bilgin Berker (Department of Electrical and Computer Engineering, McMaster University, Canada) ,  Emadi Ali (Department of Mechanical Engineering, McMaster University, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： APEC 2017  ページ： 2664-2670  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力損失計算は電力変換器設計に決定的な役割を果たし,効率,スイッチ選択と冷却システム設計の推定を助ける。MOSFETの電力損失は,電力変換器の最大スイッチング周波数を制限するかもしれない。スイッチングエネルギー値は,すべての動作点でデータシートMOSFETにおいて常に利用可能でないと,電圧と電流立ち上がり時間と立ち下がり時間の計算が必要である。本論文では,非平坦ゲートプラトー域をもつSiC MOSFETのための,データシートパラメータを用いて,スイッチング遷移時間とパワー損失の推定値を求める方法を紹介した。三方法はここで議論した,二つの既存と提案方法である。これらの方法を用いて特定のMOSFET製品を評価し,計算値はPLECSシミュレーションと二重パルス試験実験からの結果と比較した。提案した方法は,改善された精度を与えることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *炭化ケイ素 ,  電力変換器 ,  データシート ,  *MOSFET ,  *スイッチング ,  *スイッチ ,  シミュレーション ,  電圧 ,  *スイッチング損失 ,  冷却系機器
準シソーラス用語： 遷移時間 ,  立上り時間 ,  スイッチング周波数 ,  電力損失 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 平坦 ,  SiC ,  MOSFET ,  スイッチング損失