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J-GLOBAL ID：201702232515950232   整理番号：17A0548561

IV族強磁性半導体Ge_1-xFe_x,MgO,及びFev3層構造におけるトンネリング磁気抵抗増大

Increase of tunneling magnetoresistance in trilayer structures composed of group-IV ferromagnetic semiconductor Ge_1-xFe_x, MgO, and Fe

著者 (6件)： TAKIGUCHI Kosuke (Univ. Tokyo) ,  WAKABAYASHI Yuki K. (Univ. Tokyo) ,  OKAMOTO Kohei (Univ. Tokyo) ,  BAN Yoshisuke (Univ. Tokyo) ,  TANAKA Masaaki (Univ. Tokyo) ,  OHYA Shinobu (Univ. Tokyo)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15a-501-3  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *強磁性半導体 ,  ゲルマニウム合金 ,  *鉄含有合金 ,  酸化マグネシウム ,  鉄 ,  トンネル効果 ,  磁気抵抗効果 ,  *ダイオード
準シソーラス用語： *トンネル磁気抵抗効果

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強磁性半導体 ,  MgO ,  トンネリング ,  磁気抵抗