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J-GLOBAL ID：201702232582913861   整理番号：17A1557629

MBEにより成長させたAlGaAs/GaAsヘテロ構造における近表面空乏層の光学的分光分析【Powered by NICT】

Optical spectroscopy analysis of the near surface depletion layer in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by MBE

著者 (7件)： Cortes-Mestizo I.E. (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Center for the Innovation and Application of Science and Technology, Sierra Leona 550, Lomas 4a Secc., San Luis Potosi, San Luis Potosi 78210, Mexico) ,  Briones E. (Instituto Tecnologico y de Estudios Superiores de Occidente, Departamento de Fisica y Matematicas, Periferico Sur Manuel Gomez Morin 8585, Tlaquepaque, Jalisco 45604, Mexico) ,  Yee-Rendon C.M. (Universidad Autonoma de Sinaloa, Facultad de Ciencias Fisico-matematicas, Av. de las Americas y Blvd. Universitarios, Culiacan, Sinaloa 80000, Mexico) ,  Zamora Peredo L. (Universidad Veracruzana, Centro de Investigacion en Micro y Nanotecnologia, Calzada Ruiz Cortines 455, Boca del Rio, Veracruz 94294, Mexico) ,  Espinosa-Vega L.I. (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Center for the Innovation and Application of Science and Technology, Sierra Leona 550, Lomas 4a Secc., San Luis Potosi, San Luis Potosi 78210, Mexico) ,  Droopad R. (Texas State University, Ingram School of Engineering, 601 University Drive, San Marcos, TX 78666, United States) ,  Mendez-Garcia Victor H. (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Center for the Innovation and Application of Science and Technology, Sierra Leona 550, Lomas 4a Secc., San Luis Potosi, San Luis Potosi 78210, Mexico)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 477  ページ： 59-64  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では空乏層上のAlGaAs/GaAsヘテロ構造における表面エネルギー状態を充填した時の影響を報告した。空乏層幅はRaman分光法により決定した49から10nmまで変化し,フォトリフレクタンス分光法により観測されたFranz-Keldysh振動の発生に及ぼすそれらの影響を識別することを可能にした。表面レベルは充填した場合,表面でのビルトイン電場のフォトリフレクタンス変調過程は無視できることが分かった。本研究では,表面状態密度の間の関係,捕獲キャリアの表面状態能力とヘテロ構造の層配列を示した。これらのパラメータは,ヘテロ構造のフォトリフレクタンススペクトルの適切な解析を得るために考慮する必要がある。利用可能な表面エネルギー準位におけるほぼ完全に満たされた条件が確立されれば,ビルトイン電場強度の変調により生成されたFranz-Keldysh振動をフォトリフレクタンス測定における光生成キャリア密度の減少の結果として消失することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光生成 ,  Raman分光法 ,  状態密度 ,  *空乏層 ,  キャリア密度 ,  フォトリフレクタンス ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  捕獲 ,  *分光分析 ,  *ヒ化ガリウム ,  表面準位 ,  表面エネルギー ,  MBE成長
準シソーラス用語： 内部電場 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1表面 ,  A1特性化 ,  A3分子ビームエピタクシー ,  B2半導性III-V材料

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： MBE ,  成長 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  表面空乏 ,  光学 ,  分光分析