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J-GLOBAL ID：201702232639385511   整理番号：17A1116559

薄膜太陽電池における液相結晶化したけい素および酸窒化けい素の間の界面における不動態化【Powered by NICT】

Passivation at the interface between liquid-phase crystallized silicon and silicon oxynitride in thin film solar cells

著者 (9件)： Preissler Natalie (PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany) ,  Tofflinger Jan Amaru (Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany) ,  Tofflinger Jan Amaru (Departamento de Ciencias, Seccion Fisica, Pontificia Universidad Catolica del Peru, Av. Universitaria 1801, Lima 32, Peru) ,  Gabriel Onno (PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany) ,  Sonntag Paul (Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany) ,  Amkreutz Daniel (Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany) ,  Stannowski Bernd (PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany) ,  Rech Bernd (Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany) ,  Schlatmann Rutger (PVcomB/Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 25  号： 7  ページ： 515-524  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液相結晶化シリコン(LPC Si)と誘電体中間層(IL)間の界面での不動態化品質はIL/LPC Si界面(D_it)とIL(Q_IL,eff)中の実効固定電荷密度での欠陥状態密度の観点から検討した。両パラメータは,ILとガラス基板の間にサンドイッチされたモリブデン層に基づいて開発された金属-絶縁体-半導体構造の高周波容量-電圧測定により得た。D_itとQ_IL,effは,対応する太陽電池構造で得られた開回路電圧(V_oc)と統合された外部量子効率(J_sc,EQE)と同様にV_ocとJ_sc,二次元シミュレーションに基づくEQE結果と相関していた。D_itは400°Cでの水素プラズマ処理(HPT)を用いて一桁減少することが分かった。HPT,Q_IL,effの関係なくは>10~12cm~ 2であった。電界効果不動態化はIL/n型LPC Si界面での化学的不動態化を支配することを示唆した。n型LPC Si太陽電池に及ぼすHPT後に観察されV_ocとJ_sc,EQEの有意な増強を主としてn型LPC Siバルク中よりむしろIL/n型LPC Si界面での不動態化品質の改善した。p型吸収体について,HPTはV_ocとJ_sc,EQEを有意には改善しなかった。これは正に帯電した水素によるバルク欠陥の不十分な不動態化p型シリコンにおける支配的であり,不十分な界面不動態化との組合せのためであることを提案した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  MIS構造 ,  誘電体 ,  水素 ,  電圧 ,  *界面 ,  電場効果 ,  品質 ,  *結晶化 ,  二次元 ,  モリブデン ,  *不動態化 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  開回路電圧 ,  ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜太陽電池 ,  液相結晶化 ,  容量-電圧 ,  測定 ,  不動態化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 薄膜太陽電池 ,  液相 ,  結晶化 ,  けい素 ,  酸窒化けい素 ,  界面 ,  不動態化