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J-GLOBAL ID：201702232831123457   整理番号：17A1555133

異なる研削パラメータによるウエハ地盤における残留応力分布【Powered by NICT】

Residual stress distribution in wafers ground by different grinding parameters

著者 (4件)： Sun Jinglong (College of Mechanical Engineering and Applied ElectronicsTechnology, Beijing University of Technology, China) ,  Qin Fei (College of Mechanical Engineering and Applied ElectronicsTechnology, Beijing University of Technology, China) ,  Chen Pei (College of Mechanical Engineering and Applied ElectronicsTechnology, Beijing University of Technology, China) ,  An Tong (College of Mechanical Engineering and Applied ElectronicsTechnology, Beijing University of Technology, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEPT  ページ： 327-331  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 残留応力はウエハ研削プロセスにおける最も重要な問題である,ウエハ性能に影響し,ウエハ反りを誘導することができるからである。本論文では,異なるプロセスパラメータにより加工したウエハ中の残留応力をRaman分光法により測定した。残留応力に及ぼすホイール送り速度,ホイール回転速度とウエハ回転速度の影響を調べた。次元パラメータ,残留応力に及ぼすその影響として半径方向距離も研究した。結果は,研削パラメータが残留応力に影響を与えることを示した。ウエハ表面上の残留応力は不均一分布を示した。ウエハ中心に近い残留応力は周辺のそれ以下であった。種々のプロセスパラメータにより加工したウエハの残留応力に関する研究は,パラメータの最適化に重要である。残留応力の形成機構を説明するために,表面と表面下の損傷を走査電子顕微鏡(SEM)で観察した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： プロセスパラメータ ,  半径方向 ,  走査電子顕微鏡 ,  Raman分光法 ,  *研削 ,  最適化 ,  *残留応力 ,  回転数
準シソーラス用語： 形成機構 ,  不均一分布 ,  送り速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 研削 ,  パラメータ ,  ウエハ ,  地盤 ,  残留応力 ,  分布