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J-GLOBAL ID：201702232846612696   整理番号：17A1510385

低温プラズマ増強原子層堆積により成長させたAl_2O_3/HfO_2水分障壁膜を高度に不浸透性【Powered by NICT】

Highly-impermeable Al₂O₃/HfO₂ moisture barrier films grown by low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition

著者 (11件)： Kim Lae Ho (Polymer Research Institute, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Jang Jin Hyuk (Polymer Research Institute, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Jeong Yong Jin (Polymer Research Institute, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Kim Kyunghun (Polymer Research Institute, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Baek Yonghwa (Polymer Research Institute, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  Kwon Hyeok-jin (Polymer Research Institute, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea) ,  An Tae Kyu (Department of Polymer Science & Engineering and Department of IT Convergence, Korea National University of Transportation, Chungju, 27469, Republic of Korea) ,  Nam Sooji (Smart I/O Control Device Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute, Daejeon, 34129, Republic of Korea) ,  Kim Se Hyun (School of Materials Science and Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan, 38541, Republic of Korea) ,  Jang Jaeyoung (Department of Energy Engineering, Hanyang University, Seoul, 15588, Republic of Korea) ,  Park Chan Eon (Polymer Research Institute, Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 50  ページ： 296-303  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子基板は,OTFT,OPV,OLEDのようなフレキシブルな電子応用の必須成分である。しかし,高分子膜の高い水蒸気透過性は,フレキシブル電子デバイスの寿命を大幅に減らすことができる。本研究では,高分子基板上のAl_2O_3/HfO_2混合酸化物膜の水蒸気透過障壁特性を調べた。プラズマ増強原子層堆積により堆積したAl_2O_3/HfO_2膜は透明で,水中で化学的に安定であり,高密度非晶質であった。60°C,90%相対湿度(RH)加速条件では,50nm厚Al_2O_3/HfO_2は水蒸気透過速度(WVTR)=1.44×10~ 4gm~ 2D~( 1)を有し,Al_2O_3の単層は,WVTR=3.26×10~ 4g m~ 2D~( 1)を有し,HfO_2のWVTR=6.75×10~ 2gm~ 2D~( 1)を有していた。25°Cおよび40%のRHでは,50nm厚Al_2O_3/HfO_2膜はWVTR=2.63×10~ 6gm~ 2D~( 1)であり,通常のガラスカプセル封じのWVTRと同程度であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *水分 ,  アルミニウム ,  非晶質 ,  単一層 ,  酸化膜 ,  *浸透率 ,  高分子膜 ,  ガラス ,  相対湿度 ,  *プラズマ
準シソーラス用語： 水蒸気透過速度 ,  透過障害 ,  有機EL素子 ,  有機薄膜トランジスタ ,  高分子基板 ,  *低温プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Al_2O_3 ,  HfO_2 ,  混合酸化物膜 ,  プラズマ増強原子層蒸着(PEALD) ,  薄膜カプセル化(TFE)

分類 (4件)： 発光素子  (NC03082G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温プラズマ ,  増強 ,  原子層堆積 ,  成長 ,  水分 ,  障壁 ,  不浸透性