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J-GLOBAL ID：201702232878928045   整理番号：17A1033155

シリコン貫通ビア(TSV)作製のための金属マイクロキャスティング法【Powered by NICT】

A metal micro-casting method for through-silicon Via(TSV) fabrication

著者 (4件)： Gu Jiebin (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Shanghai, China) ,  Liu Bingjie (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Shanghai, China) ,  Yang Heng (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Shanghai, China) ,  Li Xinxin (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Shanghai, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDTM  ページ： 211-212  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TSVは先進パッケージングのための重要で接続している。溶融合金によるバイアホール充填電気めっきプロセスへの代替法と考えられている。本論文では,TSV製作用のマイクロキャスティング方法を提案し実証した。TSV製作法は高速充填と損失コストの利点を持っている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気めっき ,  高速度 ,  合金 ,  *バイアホール
準シソーラス用語： *シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン貫通ビア ,  TSV ,  作製 ,  キャスティング法