文献

J-GLOBAL ID：201702232959350265   整理番号：17A1639095

チャネル領域におけるT字型酸化物部分によるSOI MESFETの性能の改善:DCおよびRF特性【Powered by NICT】

Improvement in the performance of SOI-MESFETs by T-shaped oxide part at channel region: DC and RF characteristics

著者 (2件)： Naderi Ali (Electrical Engineering Department, Energy Faculty, Kermanshah University of Technology, Kermanshah City, Iran) ,  Heirani Fatemeh (Electrical Engineering Department, Energy Faculty, Kermanshah University of Technology, Kermanshah City, Iran)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 1022-1033  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,絶縁体(SOI)金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)シリコンのための新しい構造を提案した。この新しい構造がチャネル領域における逆T字のように形状酸化物ハフニウムの領域を埋め込むことにより,デバイスのDCおよびRF特性を改善した。この構造はT型酸化物部分(T SOP)を有するSOI MESFETと呼ばれる。ハフニウム酸化物領域は,従来の構造(C SOI MESFET)で使用するけい素と比較して,そのより高い臨界電場によるデバイスの絶縁破壊電圧を増加させた。従来構造の絶縁破壊電圧は14Vで,提案した構造における19.5Vに上昇した。さらに,チャネル中のこの領域を,静電容量の変化による素子の動作周波数を増加させた。最大出力密度の研究提案した構造は,C-SOI MESFETと比較して31.5%の改善をもたらすことを示した。デバイス性能を改善するために,酸化領域の寸法を最適化し,より最適な性能は寸法を変化させ,最も適切な値を見出すことによって達成した。その従来の対応物に比べて提案構造の優位性のために,提案した構造は,高電圧・高周波応用におけるC-SOI MESFETの信頼できる代替として使用される能力を持っていると言える。,製造の観点から,TSOP構造の作製プロセスフローをこのデバイスを開発するために便利な段階を示すを提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MESFET ,  *酸化 ,  絶縁体 ,  HF【周波数】 ,  *酸化物 ,  ハフニウム ,  最適化 ,  静電容量 ,  電場 ,  *チャネル ,  ケイ素
準シソーラス用語： 電力密度 ,  出力密度 ,  動作周波数 ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 絶縁破壊電圧 ,  電力密度 ,  RF特性 ,  SOI MESFET ,  T形酸化物

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： チャネル領域 ,  T字型 ,  酸化物 ,  SOI ,  MESFET ,  DC ,  RF