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J-GLOBAL ID:201702233321488144   整理番号:17A1455177

Pd(111)上のV_2O_5の化学量論的膜の堆積と特性評価【Powered by NICT】

Deposition and characterization of stoichiometric films of V2O5 on Pd(111)
著者 (4件):
資料名:
巻: 664  ページ: 1-7  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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非酸化的,UHV環境におけるV_2O_5の微細粉末を加熱することにより物理的気相成長法により300Kの基板温度でPd(111)上のV_2O_5薄膜を成長させるために使用されてきた簡単で効率的な方法。X線光電子分光法(XPS),反射吸収赤外分光法(RAIRS)と低エネルギー電子回折(LEED)を用いて,薄膜の特性評価を行った。成長したままの膜は最小厚さを超えると,V_2O_5の特徴はXPSとRAIRS,化学量論V_2O_5の存在を確認し,明らかにした。LEEDは300Kで成長したままの膜の長距離秩序を示さなかった。600と700Kの間の温度へのアニーリングは,XPSにより同定されたV_2O_5VO_2への還元とLEEDにより決定した秩序構造の形成を引き起こし,VO_2は800Kへのアニーリング後に支配的である。さらに1000Kへのアニーリング後,V_2O_3の秩序型のみがPd(111)に存在する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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金属薄膜  ,  物理的手法を用いた吸着の研究 
タイトルに関連する用語 (3件):
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