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J-GLOBAL ID：201702233365000999   整理番号：17A0759078

歪んだ1T構造を持つ2次元ReS_2(1-x)Se_2_x合金の異方性分光法と電気的性質【Powered by NICT】

Anisotropic Spectroscopy and Electrical Properties of 2D ReS_{2(1- x )}Se_{2 x} Alloys with Distorted 1T Structure

著者 (20件)： Wen Wen (CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Wen Wen (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Zhu Yiming (CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Zhu Yiming (Department of Applied Physics, Chongqing University, Chongqing, 401331, P. R. China) ,  Liu Xuelu (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Hsu Hung-Pin (Department of Electronic Engineering, Ming Chi University of Technology, Taipei, 243, Taiwan, Republic of China) ,  Fei Zhen (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Chen Yanfeng (CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Wang Xinsheng (CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Zhang Mei (CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Zhang Mei (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Lin Kuan-Hung (Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 106, Taiwan, Republic of China) ,  Huang Fei-Sheng (Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 106, Taiwan, Republic of China) ,  Wang Yi-Ping (Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 106, Taiwan, Republic of China) ,  Huang Ying-Sheng (Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 106, Taiwan, Republic of China) ,  Ho Ching-Hwa (Graduate Institute of Applied Science and Technology, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, 106, Taiwan, Republic of China) ,  Tan Ping-Heng (State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Jin Chuanhong (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Xie Liming (CAS Key Laboratory of Standardization and Measurement for Nanotechnology, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Xie Liming (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 12  ページ： ROMBUNNO.201603788  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D黒りん(BP)およびレニウム二カルコゲン化物(ReX_2,X=S,Se)は,それらの低い結晶格子対称性から生じる固有の面内異方性物理的性質,エレクトロニクス,フォトニクス,オプトエレクトロニクスにおけるその新しい応用を鼓舞しているを有していた。不良環境安定性をもつBPとは異なり,ReX_2は優れた安定性をもつ低対称性歪んだ1T構造を持っている。ReX_2では,電子構造は層数に弱く依存するが,これはそれらの性質同調性とデバイスへの応用を制限している。特性は,2D ReS_2とReSe_2を合金化によって,光学バンドギャップ,Raman異方性,および電気的輸送のような,調整した。ReS_2(1-x)Se_2_x単分子層(0~1 0.1の段階から)の光ルミネセンス発光エネルギーは1.62から1.31eVの範囲に連続的に調整できる。212cm~ 1でReS_2のようなピークのようなRamanモードの分極挙動は,組成変化としてシフトした。ReS_2(1-x)Se_2_xのすべての組成でb軸に沿って高電子移動度を持つReS_2(1-x)Se_2_xで維持されている異方性電気的性質。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 合金化 ,  対称性 ,  光ルミネセンス ,  オプトエレクトロニクス ,  *電気的性質 ,  光学ギャップ ,  *二次元 ,  電子構造 ,  カルコゲン化物 ,  エレクトロトランスポート ,  *合金 ,  分極 ,  結晶格子 ,  単分子層 ,  *異方性 ,  改変

著者キーワード (5件)： 異方性2次元材料 ,  異方性電気輸送 ,  偏光Raman分光法 ,  レニウム二カルコゲン化物合金 ,  調整可能なバンドギャップ

分類 (3件)： 静電機器  (NB10020R) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 2次元 ,  合金 ,  異方性 ,  分光法 ,  電気的性質