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J-GLOBAL ID:201702233436324853   整理番号:17A0085649

ニューロモルフィックコンピューティングのためのハイブリッドパルス方式を採用した64レベルのコンダクタンスと対称コンダクタンス変化を有するTiOxベースのRRAMシナプス

TiOx-Based RRAM Synapse With 64-Levels of Conductance and Symmetric Conductance Change by Adopting a Hybrid Pulse Scheme for Neuromorphic Computing
著者 (6件):
資料名:
巻: 37  号: 12  ページ: 1559-1562  発行年: 2016年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本稿では,ニューロモルフィックシナプス応用のためのTiOxベースの抵抗スイッチングデバイスを提案した。このデバイスは,金属電極とTiOx膜との間の界面を最適化したために,64レベルのコンダクタンス状態が可能になった。パルス数の増加に伴うスイッチング電力の変化を補償するために,固定電圧と電流パルスをそれぞれ増強条件と抑制条件で使用することを提案した。ハイブリッドパルス方式を採用することで,増強条件と抑制条件の両方において,コンダクタンス変化の対称性を大幅に改善できることを示した。改善したコンダクタンスレベルとコンダクタンス変化の対称性は,両者ともパターン認識精度の向上と直接関係していた。このことを,ニューラルネットワークシミュレーションによって確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
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ニューロコンピュータ  ,  半導体集積回路 

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