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J-GLOBAL ID：201702233484931259   整理番号：17A0591733

低温溶液成長酸化インジウム薄膜トランジスタに対する事前アニーリング効果

Pre-Annealing Effect for Low-Temperature, Solution-Processed Indium Oxide Thin-Film Transistors

著者 (5件)： KANG Chan-Mo (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  KIM Hoon (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  OH Yeon-Wha (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  BAEK Kyu-Ha (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  DO Lee-Mi (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 3293-3297  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,従来のゾルゲル法に代わって,溶液成長で作成した酸化物薄膜トランジスタの研究が盛んに行われている。ゾルゲル法は,一般に,350~500°Cの高温処理を必要とすることが欠点である。溶液成長酸化半導体薄膜の作成温度を下げる技術開発が試みられている。本研究では,事前アニーリング処理を施すことにより,200°Cの温度で低温溶液成長させた酸化インジウム薄膜トランジスタの性能を向上させられることを示した。様々な分析技術を使い,移動度,オンオフ比,サブ閾値スイング,ヒステリシスを評価した。

シソーラス用語： *結晶成長 ,  溶液成長 ,  *酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  前処理 ,  焼なまし ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  移動度 ,  比率 ,  性能指数 ,  ヒステリシス
準シソーラス用語： *低温成長 ,  事前処理 ,  アニーリング ,  酸化物半導体 ,  オンオフ比 ,  サブ閾値スイング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温 ,  溶液成長 ,  酸化インジウム ,  薄膜トランジスタ ,  アニーリング効果