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J-GLOBAL ID：201702233538549865   整理番号：17A0884377

遷移金属ジカルコゲン化物MoS_2電界効果トランジスタにおけるキャリア移動度の解析【Powered by NICT】

Analyzing the Carrier Mobility in Transition-Metal Dichalcogenide MoS₂ Field-Effect Transistors

著者 (8件)： Yu Zhihao (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  Ong Zhun-Yong (Institute of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, 138632, Singapore) ,  Li Songlin (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  Xu Jian-Bin (Department of Electronic Engineering and Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Hong Kong SAR, P. R. China) ,  Zhang Gang (Institute of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, 138632, Singapore) ,  Zhang Yong-Wei (Institute of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, 138632, Singapore) ,  Shi Yi (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  Wang Xinran (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 19  ページ： ROMBUNNO.201604093  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)は,電子や光電子工学応用のための二次元(2D)層状材料の重要なクラス,それらの極限ボディ厚,大きなと調整可能なバンドギャップ,および適切な理論的室温移動度に起因した。これまで,しかし,全てTMDCは外来不純物による集団効果のために実験的にはるかに低い移動度を示し,それはデバイス応用のための最も重要な制限の一つとなっている。,例としてMoS_2を,フォノン,荷電不純物,欠陥および電荷トラップを含むTMDCトランジスタにおける移動度を低減する重要な要因をレビューした。温度,キャリア密度,および厚さに伴う移動度のスケーリングを定量的に捕捉することを理論モデルを紹介した。過去数年にわたって文献から入手可能な移動度データを当てはめることにより,広範囲のトランジスタ構造の不純物とトラップの密度を得た。界面工学は不純物を効果的に低減できることを示し,改善されたデバイス性能をもたらした。数層TMDCは,偏ったキャリア分布をモデル化し,層の数と移動度の実験的増加を明らかにするために解析した。解析から,TMDC試料中の電荷輸送は,注意深く扱わなければならない非常に複雑な問題であることが明らかになった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷 ,  オプトエレクトロニクス ,  *移動度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  界面 ,  不純物 ,  積層材料 ,  フォノン ,  *キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  キャリア分布 ,  理論モデル ,  電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： キャリア移動度 ,  Coulomb不純物 ,  電界効果トランジスタ ,  MoS2 ,  遷移金属二カルコゲン化物

分類 (4件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  電気的性質  (WB02010Y) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属ジカルコゲン化物 ,  電界効果トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  解析