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J-GLOBAL ID：201702233583056848   整理番号：17A1558667

複合ターゲットからのHPPMS堆積スパッタしたCr-Al-C薄膜の組成に及ぼす2桁ターゲット電力密度変化の影響【Powered by NICT】

HPPMS deposition from composite targets: Effect of two orders of magnitude target power density changes on the composition of sputtered Cr-Al-C thin films

著者 (11件)： Ruess H. (Materials Chemistry, RWTH Aachen University, Kopernikusstr. 10, Aachen D-52074, Germany) ,  to Baben M. (Materials Chemistry, RWTH Aachen University, Kopernikusstr. 10, Aachen D-52074, Germany) ,  to Baben M. (GTT-Technologies, Kaiserstr. 103, Herzogenrath D-52134, Germany) ,  Mraz S. (Materials Chemistry, RWTH Aachen University, Kopernikusstr. 10, Aachen D-52074, Germany) ,  Shang L. (Materials Chemistry, RWTH Aachen University, Kopernikusstr. 10, Aachen D-52074, Germany) ,  Polcik P. (Plansee Composite Materials GmbH, Siebenbuergerstr. 23, Lechbruck am See D-86963, Germany) ,  Kolozsvari S. (Plansee Composite Materials GmbH, Siebenbuergerstr. 23, Lechbruck am See D-86963, Germany) ,  Hans M. (Materials Chemistry, RWTH Aachen University, Kopernikusstr. 10, Aachen D-52074, Germany) ,  Primetzhofer D. (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Laegerhyddsvaegen 1, Uppsala S-75120, Sweden) ,  Schneider J.M. (Materials Chemistry, RWTH Aachen University, Kopernikusstr. 10, Aachen D-52074, Germany) ,  Schneider J.M. (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Laegerhyddsvaegen 1, Uppsala S-75120, Sweden)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 145  ページ： 285-289  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜の組成に及ぼすターゲット電力密度,基板バイアス電圧と基板温度の影響を調べた。Cr-Al-C複合ターゲットを直流(DCMS: 2.3 W/cm~2)と高出力パルスマグネトロンスパッタリング(HPPMS: 373 W/cm~2)発電機を利用したスパッタした。浮遊電位では,すべてのCr-Al-C薄膜は類似の組成を示し,適用ターゲット電力密度に依存しなかった。しかし,基板バイアス電位を 400Vに増加すると,HPPMSの1.6倍までDCMSと4.1によるアルミニウム欠乏が得られた。基板で測定したイオン電流に基づいて,Alの優先再スパッタリングは劇的なAl枯渇を引き起こすことが示唆された。基板温度を560°Cに増加すると,Al濃度が室温堆積と比べて1.9倍まで減少した。更なる低下は熱的に誘起された脱離再スパッタリングに加えて活性により合理的に説明される可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  イオン電流 ,  *薄膜 ,  スパッタリング ,  基板温度 ,  電位 ,  脱着 ,  直流 ,  *アルミニウム
準シソーラス用語： 浮遊電位 ,  高出力 ,  基板バイアス ,  *電力密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 薄膜 ,  ディジタル回線多重方式 ,  HPPMS ,  複合材料/化合物ターゲット ,  ターゲット電力密度 ,  基板バイアスの可能性

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (9件)： ターゲット ,  堆積 ,  スパッタ ,  Cr ,  Al ,  薄膜 ,  組成 ,  桁 ,  電力密度