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J-GLOBAL ID：201702233589330932   整理番号：17A1024368

SIPOSピラーを持つ超接合UMOSFET TCADシミュレーション研究による超接合シリコン限界の打破【Powered by NICT】

A Superjunction U-MOSFET With SIPOS Pillar Breaking Superjunction Silicon Limit by TCAD Simulation Study

著者 (5件)： Cao Zhen (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Duan Baoxing (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Shi Tongtong (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Yuan Song (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China) ,  Yang Yintang (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 6  ページ： 794-797  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半絶縁性アザ結晶シリコンピラー(SIPOS SJ UMOS)を有する新しい超接合(SJ)垂直UMOSFETを提案し,そのメカニズムを,TCADシミュレーションにより研究した。オフ状態では,SIPOSピラーのRESHAPE効果は,垂直電場強度を増強し,横方向電界成分,降伏電圧(BV)を増加させるを弱めた。添加では,高度にドープされたN 柱はSIPOS柱により強化された枯渇のため提案したデバイス,低比オン抵抗(R_ON,.)が得られることを可能にした。オン状態では,R_ON,.における付加的な低下をもたらすドリフト領域に形成される蓄積層。シミュレーション結果はR_ON,.は59%に減少し,BVは16.7%増加し,同時に,SJシリコン限界,同じドリフト長を用いた従来のSJ UMOSのそれと比較を破ることを示した。SIPOS SJ UMOSの電荷不均衡耐久性も改善した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オン抵抗 ,  *ケイ素 ,  電荷 ,  電場 ,  *シミュレーション ,  ドリフト ,  ドーピング ,  蓄積層 ,  電界強度
準シソーラス用語： オン状態 ,  絶縁破壊電圧 ,  オフ状態 ,  半絶縁性 ,  *TCAD ,  *超接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ピラー ,  TCAD ,  シミュレーション ,  研究 ,  シリコン ,  限界