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J-GLOBAL ID:201702233774494165   整理番号:17A0397178

高分解能神経微小電極を実現するためのフレキシブル基板上の大規模集積用のシリコンナノワイヤアレイのトップダウン製造

Top-down fabrication of silicon-nanowire arrays for large-scale integration on a flexible substrate for achieving high-resolution neural microelectrodes
著者 (2件):
資料名:
巻: 23  号:ページ: 491-498  発行年: 2017年02月 
JST資料番号: W2056A  ISSN: 0946-7076  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ナノワイヤ集積素子を実現するためには,整列したSiナノワイヤアレイのスケーラブルで反復可能な大量生産が必要である。本研究では,高分解能神経刺激微小電極の応用のために,トップダウン製造とフレキシブル基板上のナノワイヤ転写を組合せた単純な製造方法とSiナノワイヤアレイの大規模集積化を提案した。Siドライエッチング,Siウェットエッチング,湿式酸化を含むトップダウンプロセスにより,p型(111)配向単結晶Si基板上に配列したSiナノワイヤを製造した。ナノワイヤアレイ製造後,ポリイミド被覆,電極形成,および基板除去によりフレキシブル基板に素子を転写した。Siナノワイヤ電界効果トランジスタ(FET)スイッチを作製し,本方法の実現可能性を実証し,評価した。
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分類 (2件):
分類
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生体代行装置  ,  その他の電気・電子部品 

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