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J-GLOBAL ID：201702233811714346   整理番号：17A1738118

UV硬化とIR熱処理を用いたポリシラザン前駆体由来の窒化ケイ素厚膜の形態制御

Morphology control of a silicon nitride thick film derived from polysilazane precursor using UV curing and IR heat treatment

著者 (5件)： PARK Cheong Ho (Gyeongsang National Univ., Gyeongsangnam-do, KOR) ,  JOO Young Jun (Gyeongsang National Univ., Gyeongsangnam-do, KOR) ,  CHUNG Jun Ki (Gangwon Sci. & Technol. Promotion Center, Gangwon-do, KOR) ,  HAN Young Hwan (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  KIM Cheol Jin (Gyeongsang National Univ., Gyeongsangnam-do, KOR)
資料名： Advances in Applied Ceramics  (Advances in Applied Ceramics)
巻： 116  号： 7/8  ページ： 376-382  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： E0272A  ISSN： 1743-6753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンウェハ又はアルミニウムウェハ上にポリシラザン(PSZ)のトルエン溶液からスピンコーティング又は浸漬コーティング,及びそれに続くUV硬化と赤外線加熱により,窒化ケイ素(Si₃N₄)厚膜を様々な条件下で製造した。Si₃N₄厚膜の粒子形態は基板,硬化法,加熱条件および加熱環境により変化した。400°CのUV硬化30分と及び800°Cの窒素雰囲気中の赤外線加熱により,ほぼ単相のSi₃N₄が製造できた。硬化プロセスを含まない場合には,加熱雰囲気によらず加熱後に少量のSiC相が存在した。PSZに含まれる炭素を抽出するために十分な温度に上昇した硬化プロセスは,残留するSiC相の含有率の制御のために重要であった。き裂と剥離の量は熱処理温度の増加,基板とSi₃N₄の熱膨張係数の相違と共に増加した。

シソーラス用語： 光架橋 ,  紫外線 ,  赤外線加熱 ,  *ポリシラザン ,  前駆体 ,  *窒化ケイ素 ,  厚膜 ,  *セラミック膜 ,  ウエハ【IC】 ,  アルミニウム ,  有機溶媒 ,  スピンコーティング ,  浸漬 ,  モルフォロジー ,  基板 ,  加熱温度 ,  雰囲気 ,  炭素 ,  炭化ケイ素 ,  残留物 ,  熱膨張係数 ,  亀裂 ,  剥離 ,  結晶形態 ,  アルキルベンゼン

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (1件)： トルエン

タイトルに関連する用語 (8件)： UV硬化 ,  Ir ,  熱処理 ,  ポリシラザン ,  前駆体 ,  窒化ケイ素 ,  厚膜 ,  形態制御