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J-GLOBAL ID：201702233849290359   整理番号：17A1544909

構造の異なるSRAMキャッシュの老化を誘発された時間依存誘電体絶縁破壊の解析【Powered by NICT】

Analysis of time-dependent dielectric breakdown induced aging of SRAM cache with different configurations

著者 (4件)： Zhang Rui (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, USA) ,  Liu Taizhi (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, USA) ,  Yang Kexin (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, USA) ,  Milor Linda (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, USA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 87-91  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間依存絶縁破壊はSRAMキャッシュの信頼性を劣化させる。SRAMキャッシュ信頼性と性能を推定するための新しい方法論を提示した。性能と信頼性特性は活性抽出とモンテカルロシミュレーションから得られた,素子寸法,プロセス変動,応力確率,熱分布を検討している。信頼性性能評価方法論に基づいて,結合,キャッシュラインサイズ,キャッシュサイズに及ぼす種々のセッティングでのキャッシュを解析し,比較した。実験は,異なるキャッシュ構成の性能と信頼性の間の矛盾が存在することを示した。性能と信頼性の変化はキャッシュシステム設計のための信頼性性能のトレードオフに関する洞察を用いたSRAM設計者を提供することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *時間依存性 ,  システム設計 ,  *誘電体 ,  *SRAM ,  *絶縁破壊 ,  *キャッシュメモリ ,  信頼性
準シソーラス用語： 熱分布 ,  プロセス変動 ,  モンテカルロシミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： SRAM ,  時間依存絶縁破壊(TDDB) ,  モンテカルロシミュレーション ,  信頼性 ,  Performance ,  Configuration

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： SRAM ,  キャッシュ ,  老化 ,  誘発 ,  時間依存 ,  誘電体 ,  絶縁破壊 ,  解析