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J-GLOBAL ID：201702233875528446   整理番号：17A1645798

SiGeチャネルnMOSFETの電気パラメータの最適化【Powered by NICT】

Optimization of electrical parameters in SiGe channel nMOSFET

著者 (3件)： Vanlalawmpuia K. (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar, Assam, India) ,  Bhowmick Brinda (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar, Assam, India) ,  Choudhury Madhuchhanda (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar, Assam, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 231-235  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコン-ゲルマニウム(SiGe)nチャネルヘテロ接合MOSFETは,チャンネルがSiGeから作られていることを考慮した提示し,ソース/ドレイン領域はシリコン(Si)で構成されている。バンドギャップ工学は素子の電気的挙動を改善するために行われてきた。デバイスに及ぼす異なるパラメータのシミュレーション研究を行い,提示した。提案したデバイスの電気特性を,素子の寸法を変えることによって最適化した。閾値電圧(VT),サブしきい値スイング(SS),IONとIOFF電流比にモル分率の影響を解析した。SiGeチャネルの存在に起因して,提案したデバイスは電気特性の向上を示すことが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  モル分率 ,  *最適化 ,  *チャネル ,  *MOSFET ,  バンドギャップ ,  電流 ,  電気特性 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  閾値電圧 ,  *nMOSFET ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiGe ,  チャネル ,  nMOSFET ,  パラメータ ,  最適化