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J-GLOBAL ID：201702234283449366   整理番号：17A1568043

CMOS-MEMS共振圧力センサの特性化【Powered by NICT】

Characterization of CMOS-MEMS Resonant Pressure Sensors

著者 (3件)： Banerji Saoni (Nanusens, CENT-Parc Tecnolo`gic del Valle`s, Cerdanyola del Valle`s, Spain) ,  Fernandez Daniel (Nanusens, CENT-Parc Tecnolo`gic del Valle`s, Cerdanyola del Valle`s, Spain) ,  Madrenas Jordi (Department of Electronic Engineering, Universitat Polite`cnica de Catalunya, Barcelona, Spain)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 17  号： 20  ページ： 6653-6661  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSマイクロエレクトロメカニカルシステム共振圧力センサの包括的特性化の結果を提示した。広範囲に温度と圧力の変動条件下で品質係数(Q)変動の観点からデバイスの重要な性能パラメータ,Knudsen数(K_n)によって特性化を評価した。報告した装置の基本周波数は104.3kHzである。0.1~100kPaのフルスケール圧力範囲と 10°Cの温度範囲で85°C,450~62.6Qが得られた。に加えて,素子容量の静的変化はばね軟化とプルイン効果を評価するために温度で測定し,解析した。非線形解析は,素子の安定性を評価するために実施した。さらに,統計的ミスマッチ分析を行っエッチング時間と共鳴の偏差を決定し,最大素子収率を確認した。線金属層放出の筆者らのバックエンドを用いて,このセンサはモノリシック標準CMOS集積回路と同じ基板に埋め込まれたかなりのコスト及び断面縮小率が得られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *共振 ,  Knudsen数 ,  不整合 ,  *圧力センサ ,  *センサ ,  基本振動数 ,  *CMOS ,  エッチング ,  *キャラクタリゼーション ,  *MEMS ,  金属 ,  非線形解析
準シソーラス用語： CMOS集積回路 ,  温度範囲 ,  品質係数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V) ,  温度測定,温度計  (AD06010K)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  MEMS ,  共振 ,  圧力センサ ,  特性化