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J-GLOBAL ID：201702234474014428   整理番号：17A1273902

電気-熱解析を用いたSiとSiCパワーMOSFETのホットスポット温度の比較【Powered by NICT】

Comparison of hot spot temperature between Si and SiC power MOSFET using electro-thermal analysis

著者 (5件)： Kibushi Risako (Department of Mechanical Engineering, Tokyo University of Science, Yamaguchi, Daigaku-dori 1-1-1, Sanyo-onoda, Yamaguchi, Japan 756-0884) ,  Hatakeyama Tomoyuki (Department of Mechanical System Engineering, Toyama Prefectural University, Kurokawa 5180, Imizu, Toyama, Japan 939-0398) ,  Yuki Kazuhisa (Department of Mechanical Engineering, Tokyo University of Science, Yamaguchi, Daigaku-dori 1-1-1, Sanyo-onoda, Yamaguchi, Japan 756-0884) ,  Unno Noriyuki (Department of Mechanical Engineering, Tokyo University of Science, Yamaguchi, Daigaku-dori 1-1-1, Sanyo-onoda, Yamaguchi, Japan 756-0884) ,  Ishizuka Masaru (Department of Mechanical System Engineering, Toyama Prefectural University, Kurokawa 5180, Imizu, Toyama, Japan 939-0398)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ITherm  ページ： 921-925  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,電子機器の熱問題が深刻化しているが,電子デバイスが小型化されている。特に,非常に高い電場は,パワーデバイスで発生するので,それはデバイスに現れるナノ-マイクロスケール高温ホットスポットことが可能である。ホットスポット温度はエレクトロニクスの性能に影響を及ぼす,ホットスポットは,装置の故障の可能性を持っている。,エレクトロニクスの信頼性向上のための,ナノ-マイクロスケールホットスポットを考慮した正確な熱設計が重要である。近年,SiCパワー半導体デバイスは高電圧半導体デバイスとして注目を集めている。SiCパワー半導体デバイスの正確な熱設計のために,SiCパワー半導体デバイスの正確な熱特性が得られなければならない。しかし,SiCデバイスの熱特性の詳細は明らかではない。高電場は電力用半導体素子で発生するので,電子と格子間のエネルギー非平衡状態は,ホットスポットを調べるために考慮されるべきであり,電熱解析は,この非平衡状態を扱うために魅力的である。本論文では,SiCパワー半導体デバイスの熱特性は,電気-熱解析を用いて議論した。SiCパワーMOSFETの発熱とホットスポット温度に焦点を当てた。SiCパワーMOSFETのSiパワーMOSFETの熱的性質を比較して,これら二つのMOSFETの間の熱特性の違いを検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  熱設計 ,  小型化 ,  電力 ,  *ホットスポット ,  半導体素子 ,  電場 ,  *ケイ素 ,  非平衡状態 ,  電子技術 ,  熱特性 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  *パワーMOSFET ,  *熱シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱解析 ,  Si ,  SiC ,  パワーMOSFET ,  ホットスポット