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J-GLOBAL ID:201702234474248257   整理番号:17A1555405

SnはんだとCu基板との間のIMCの微細構造に及ぼすCuナノ粒子ドープしたフラックスの影響【Powered by NICT】

Effects of Cu nanoparticles doped flux on the microstructure of IMCs between Sn solder and Cu substrate
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: ICEPT  ページ: 1577-1581  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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最近,粗い形態をもつ厚い界面金属間化合物層を現在開発されている鉛フリーはんだの長期はんだ継手の信頼性に有害であった。2wt.%の金属Cuナノ粒子の量とドーピングフラックスによる純SnはんだボールとCu基板の間の金属間化合物層の形態と成長を制御するために開発した新しい方法。直径1.4mmの鉛フリーSnはんだボールを10s,30sと60sの250°Cの温度でフラックスとはんだの上に置いた。はんだ継手のミクロ組織の特性化と元素組成をエネルギー分散型X線分光法(OXFORD, EDX)を備えた電界放射型走査電子顕微鏡(FESEM)で調べた。はんだ付け時間の最初の10秒で,ドープおよび非ドープ化したはんだ接合はスカラップCu_6Sn_5IMCで特性化したが,はんだ付け時間の延長に伴い,非ドープ試料のIMCは,鋭いエッジ,ファセット粒またはプリズム結晶状形態への移行より速い受けたことが観察された。またフラックスにドープされたCuナノ粒子ははんだ継手の界面でのIMCの形態に有意な影響を及ぼした。さらに,Cuナノ粒子はIMCスカーラップの間のチャンネルを遮断し,IMCホタテガイの成長前面で選択的に吸収され,Cuナノ粒子ははんだ中のSnとの反応を持ち,界面反応,これはIMC結晶粒の粗大化につながるを供給できる。,適切な金属ナノ粒子によるフラックスのドーピングは電子デバイスの良好な信頼性をもたらすと期待されるはんだ/基板界面における金属間化合物層の形態と成長を制御するために使用することに成功した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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