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J-GLOBAL ID：201702234474729700   整理番号：17A0151781

CdTeにおける屈折率分布型モスアイ反射防止構造の作製と光学挙動

Fabrication and optical behavior of graded-index, moth-eye antireflective structures in CdTe

著者 (6件)： Chan Lesley (Department of Chemical Engineering, University of California-Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5080 and Institute for Collaborative Biotechnologies, University of California-Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5100) ,  Ghoshal Amitabh (Institute for Collaborative Biotechnologies, University of California-Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5100) ,  DeCuir Eric A. Jr. (U.S. Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland 20783) ,  Chen Yuan Ping (U.S. Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland 20783) ,  Morse Daniel E. (Institute for Collaborative Biotechnologies, University of California-Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5100) ,  Gordon Michael J. (Department of Chemical Engineering, University of California-Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5080 and Institute for Collaborative Biotechnologies, University of California-Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5100)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 1  ページ： 011201-011201-5  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： II-VI半導体上にモスアイから着想を得た屈折率分布型反射防止パターンを形成するために,ディップコートコロイドリソグラフィー,マスク縮小,プラズマに基づくパターン転写に基づく簡単なでスケーラブルな方法を示した。下層基板中にパターンを転写する前に,多様な大きさのシリカコロイドマスクを等方エッチングし,可変形状(頂部直径=200~1300nm,ピッチ=310~2530nm,高さ=790~7100nm)の孤立円錐台の六角形配列を作製した。4~20μm領域全体にわたって片側直接及び全赤外透過率が大幅に増加し(CdTe薄膜で9~15%,塊状CdTeで18%),これは伝達マトリックス計算及び有限差分時間領域光学シミュレーションと非常に良く一致した。本論文で示した製造方法を用いることで,光電池,光学系要素,検出器,焦点面アレイ撮像装置などの複数のIR応用分野で効率を向上させ得る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *屈折率 ,  素子構造 ,  *反射防止膜 ,  有限差分時間領域法 ,  計算機シミュレーション ,  伝達マトリックス法 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： モスアイ構造 ,  *傾斜屈折率 ,  *反射防止構造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： CdTe ,  屈折率分布 ,  反射防止構造 ,  作製 ,  光学 ,  挙動