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J-GLOBAL ID：201702234567604392   整理番号：17A1181673

MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズの電気的特性評価のための系統的方法【Powered by NICT】

Systematic method for electrical characterization of random telegraph noise in MOSFETs

著者 (4件)： Marquez Carlos (Department of Electronics, CITIC-University of Granada, 18071 Granada, Spain) ,  Rodriguez Noel (Department of Electronics, CITIC-University of Granada, 18071 Granada, Spain) ,  Gamiz Francisco (Department of Electronics, CITIC-University of Granada, 18071 Granada, Spain) ,  Ohata Akiko (Collaboration Center for Research and Development, Utsunomiya University, Japan)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 128  ページ： 115-120  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSトランジスタにおけるランダム電信雑音(RTN)の大規模なオンウエハ特性化を容易にすることを目的とした新しいプロトコルを紹介した。方法論は,それらの電気的特性評価のための最適バイアス条件における単一トラップRTN信号を明確に同定するための修正重み付き時間遅れプロットアルゴリズムで支援されたゲートバイアスによる雑音スペクトル密度走査を組み合わせたものである。法の強度はSOIウエハのトランジスタ上のトラップの分布を監視するためのその応用により実証した。結合フロントおよびバック界面を持つSOIデバイスのRTN特性に及ぼすバックゲートバイアスの影響をキャリア放出ゲート金属接触に適合する異常な特性を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  トランジスタ ,  キャラクタリゼーション ,  界面 ,  プロトコル ,  走査 ,  *電気的性質 ,  バイアス
準シソーラス用語： キャリア放出 ,  雑音スペクトル ,  ゲートバイアス ,  時間遅れ ,  電信雑音 ,  *ランダムテレグラフノイズ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ランダム電信雑音 ,  MOSFET信頼性 ,  低周波雑音(LFN)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOSFET ,  ランダムテレグラフノイズ ,  電気的特性 ,  評価 ,  系統