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J-GLOBAL ID：201702234808117023   整理番号：17A1185456

ZnOとZnO_1x系薄膜メムリスタ:抵抗スイッチング挙動における酸素欠乏と厚さの影響【Powered by NICT】

ZnO and ZnO_1-x based thin film memristors: The effects of oxygen deficiency and thickness in resistive switching behavior

著者 (3件)： Gul Fatih (Department of Electrical & Electronics Engineering, Ataturk University, Erzurum 25240, Turkey) ,  Efeoglu Hasan (Department of Electrical & Electronics Engineering, Ataturk University, Erzurum 25240, Turkey) ,  Efeoglu Hasan (Nano-science and Nanoengineering Research and Application Center, Ataturk University, Erzurum 25240, Turkey)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 14  ページ： 10770-10775  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,直流反応性スパッタしたZnOとZnO_1 ベースの薄膜(厚さ30nmと300nm)メモリスタデバイスを作製し,メモリスタ特性に及ぼす酸素空格子点と厚さの影響を調べた。ZnO_1x構造の酸素欠乏をSIMS分析により確認した。ZnOとZnO_1xデバイスのメムリスティブ特性は時間に依存する電流-電圧(I V t)測定によって決定した。メモリスタの特有の狭まったヒステリシスI-Vループは全ての作製されたデバイスで観察された。典型的な均一界面およびフィラメント状タイプのメムリスティブ挙動を比較した。さらに,伝導機構,オン/オフ比とコンプライアンス電流を解析した。天然酸素空格子点を含む30nmのZnOをベースにした素子が最良のオン/オフ比を示した。すべてのデバイスは,Schottky放出と弱いPoole-Frenkel伝導機構を示した。結果は,酸素欠乏はSchottky放出機構の原因であることを示唆した。さらに,酸素空格子点が増加すると装置のコンプライアンス電流は低消費電力化に関連していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒステリシス ,  コンプライアンス ,  *酸化亜鉛 ,  界面 ,  *酸素欠乏 ,  電流 ,  *薄膜 ,  フィラメント ,  直流 ,  電圧 ,  反応性スパッタリング
準シソーラス用語： 伝導機構 ,  酸素空格子点 ,  *抵抗スイッチング ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： メムリスタ ,  酸化亜鉛 ,  酸素空格子点 ,  抵抗スイッチング

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  薄膜 ,  メムリスタ ,  抵抗スイッチング ,  挙動 ,  酸素欠乏 ,  厚さ