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J-GLOBAL ID：201702234809617857   整理番号：17A0058306

触媒活性ナノ多孔性グラフェン中の化学ドーパントとトポロジカル欠陥の間の相関

Correlation between Chemical Dopants and Topological Defects in Catalytically Active Nanoporous Graphene

著者 (13件)： Ito Yoshikazu (WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Ito Yoshikazu (PRESTO, Japan Science and Technology Agency, Saitama, 332-0012, Japan) ,  Shen Yuhao (WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Shen Yuhao (State Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education of China, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Hojo Daisuke (WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Itagaki Yoji (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Fujita Takeshi (WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Chen Linghan (WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Aida Tsutomu (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai, 980-8579, Japan) ,  Tang Zheng (State Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education of China, East China Normal University, Shanghai, 200241, China) ,  Adschiri Tadafumi (WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Adschiri Tadafumi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Chen Mingwei (CREST, Japan Science and Technology Agency, Saitama, 332-0012, Japan)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 28  号： 48  ページ： 10644-10651  発行年： 2016年12月28日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドープグラフェンの電気触媒反応中で,化学ドーパントとトポロジカル欠陥間の相互作用は非常に重要な役割を果たす。3Dナノ多孔性グラフェンの曲率,すなわちトポロジカル欠陥密度を系統的に同調して,化学ドーピング成分量およびドーパント配置に対するトポロジカル欠陥の固有相関を明らかにし,グラフェンのHER活性について構造的および化学的成因の解明に光明を見出した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *触媒活性 ,  *多孔性 ,  *グラフェン ,  ドーパント ,  *ドーピング ,  *欠陥 ,  *構造活性相関 ,  *触媒反応 ,  *電気化学反応 ,  曲率 ,  欠陥密度 ,  *水素発生反応 ,  細孔径 ,  化学蒸着 ,  表面積 ,  X線光電子分光法 ,  電子顕微鏡観察 ,  熱処理 ,  電流電圧特性 ,  電荷分布 ,  曲面 ,  *触媒調製
準シソーラス用語： *ナノ多孔性 ,  *化学ドーピング ,  *トポロジカル欠陥 ,  *電気触媒反応 ,  外部曲率 ,  BET表面積 ,  コドーピング ,  窒素ドーピング ,  透過型電子顕微鏡観察 ,  HRTEM法 ,  走査電子顕微鏡観察

著者キーワード (5件)： chemical vapor deposition ,  hydrogen evolution reaction ,  nanoparticles ,  nanoporous graphene ,  nitrogen-sulfur-phosphorus co-doping

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  触媒の調製  (CB06110P) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 触媒活性 ,  ナノ多孔性 ,  グラフェン ,  化学 ,  ドーパント ,  トポロジカル欠陥 ,  相関