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J-GLOBAL ID：201702235110389247   整理番号：17A1181879

III-V酸化の防止を持つInGaAs(001)-(2×4)上の不動態SiO_x制御層の自己制限CVD【Powered by NICT】

Self-limiting CVD of a passivating SiO_x control layer on InGaAs(001)-(2x4) with the prevention of III-V oxidation

著者 (10件)： Edmonds Mary (Materials Science and Engineering Program University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States) ,  Wolf Steven (Materials Science and Engineering Program University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States) ,  Chagarov Evgueni (Department of Chemistry and Biochemistry University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States) ,  Kent Tyler (Materials Science and Engineering Program University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States) ,  Park Jun Hong (Materials Science and Engineering Program University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States) ,  Holmes Russell (Rasirc Inc., San Diego, CA 92126, United States) ,  Alvarez Daniel (Rasirc Inc., San Diego, CA 92126, United States) ,  Droopad Ravi (Ingram School of Engineering, Texas State University, San Marcos, TX 78666, United States) ,  Kummel Andrew C. (Materials Science and Engineering Program University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States) ,  Kummel Andrew C. (Department of Chemistry and Biochemistry University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093, United States)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 660  ページ： 31-38  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄い不動態化SiO_x制御層はSi_2Cl_6を用いてCl_x終端したシリコンの2単分子層を堆積し,その後350°Cの基板温度で無水HOOH(g)を用いてシリコンシード層を酸化第一によるInGaAs(001)-(2×4)表面上の自己制限CVDにより蒸着した。HOOH(g))投与後,XPSスペクトルはSiO_x結合のSi2pを示す上ではより高い結合エネルギーの肩ピークを示したが,シフトSiの2p成分は,Inの3d,Ga2P,とAs2PピークはIII-V族の酸化の防止と一致するより高い結合エネルギー成分を示さなかった。走査型トンネル分光法(STS)測定は,InGaAs(001)-(2×4)表面上のSiO_x堆積後,バンドギャップはSiO_2のそれの方向に突出すること,その後のゲート酸化物A LDのための表面準備を残しバンドギャップにおける状態の自由電子構造を示した。密度汎関数理論計算は,TMA投与,SiO_x/InGaAs(001)表面上に直接核形成するTMAを示す後実験STSデータを支持し,欠陥状態と高Kゲート酸化物核形成の準備ができている表面の自由バンドギャップを持つ電気的に不活性な界面を残している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *インジウム ,  *ケイ素 ,  *酸化 ,  界面 ,  単分子層 ,  *不動態 ,  バンドギャップ ,  基板温度 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  結合エネルギー ,  不動態化 ,  核形成
準シソーラス用語： ゲート酸化物 ,  走査トンネル電子分光法 ,  シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化 ,  InGaAs ,  不動態 ,  制御層 ,  自己 ,  制限 ,  CVD