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J-GLOBAL ID：201702235305709362   整理番号：17A0052860

RuドープMoO₃薄膜の構造,光学及び電気特性とJNS熱分解法によるP-Nダイオードへの応用

Structural, optical and electrical properties of Ru doped MoO3 thin films and its P-N diode application by JNS pyrolysis technique

著者 (4件)： Balaji M. (Department of Physics, Sri Ramakrishna Mission Vidyalaya College of Arts and Science, Coimbatore, Tamil Nadu, India) ,  Chandrasekaran J. (Department of Physics, Sri Ramakrishna Mission Vidyalaya College of Arts and Science, Coimbatore, Tamil Nadu, India) ,  Raja M. (Department of Physics, Sri Ramakrishna Mission Vidyalaya College of Arts and Science, Coimbatore, Tamil Nadu, India) ,  Rajesh S. (Department of Nanoscience and Technology, Karunya University, Coimbatore, Tamil Nadu, India)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 11  ページ： 11646-11658  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジェット噴霧被覆は,P-Nダイオードに応用するためのルテニウムドープ三酸化モリブデン(RuMoO₃)薄膜を500°Cで得るための有望な経路であることを報告する。MoO₃の構造,光学,直流電気伝導率及びダイオード特性に及ぼすRuドーピング(0,3,6及び9重量%)の影響を種々の技術によって測定した。X線回折分析から,膜は,MoO₃の斜方晶構造を持つ多結晶であることが分った。走査型電子顕微鏡画像から,サブミクロンサイズ板状構造の相違点が分かった。Ru,Mo及びO元素の存在をエネルギー分散型X線分光分析によって確認した。紫外-可視分析及び電流-電圧(I-V)特性から,6%RuドープMoO₃膜は,可視領域における最小吸光度及び最大導電率を示した。ダイオードの測定を暗所とハロゲン光源下で行った。理想因子(n),障壁高さ(Φ_b)及びシート抵抗(R_s)などのダイオードパラメータ値を計算するために,I-V,Cheung及びNordeの種々の方法を用いた。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化モリブデン ,  ルテニウム ,  ドーピング ,  構造特性 ,  光学的性質 ,  電気特性 ,  *熱分解 ,  噴霧 ,  *ダイオード ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  光学ギャップ ,  電流電圧特性 ,  電気伝導率 ,  温度依存性 ,  斜方晶系
準シソーラス用語： 光学特性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ru ,  ドープ ,  薄膜 ,  光学 ,  電気特性 ,  ダイオード ,  応用