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J-GLOBAL ID:201702235340127675   整理番号:17A0129117

ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価

Characterization of Free-Standing GaN Bulk Substrates by Raman Scattering Spectroscopy and Infrared Reflectance Spectroscopy
著者 (5件):
資料名:
巻: 116  号: 357(CPM2016 90-112)  ページ: 21-26  発行年: 2016年12月05日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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1016~1020cm-3のドーピング密度を有するn型GaN自立基板に対してラマン散乱分光および赤外反射分光を行った。自由キャリアのプラズマ振動と縦光学格子振動との結合モードを測定し,得られたスペクトルを誘電関数モデルに基づく理論曲線でフィッティングすることにより,キャリア密度と移動度を求めた。求めた結果をホール効果測定による実測値と比較し,その妥当性を検証した。その結果,ラマン散乱分光法はキャリア密度が1016~1018cm-3の範囲で,赤外反射分光法はキャリア密度が1018~1020cm-3の範囲で精度よく評価が行えることが明らかになった。(著者抄録)
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分類 (4件):
分類
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金属の電子伝導一般  ,  赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  ,  分光法と分光計一般  ,  光の散乱,回折,干渉 

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