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J-GLOBAL ID：201702235384950416   整理番号：17A1019957

過冷却融液の急冷凝固中のSi1at%Snの結晶化動力学【Powered by NICT】

Crystallization kinetics in Si-1at%Sn during rapid solidification in undercooled melt

著者 (6件)： Kuribayashi K. (ISAS/JAXA, Sagamihara, Kanagawa, Japan) ,  Kuribayashi K. (Chiba Institute of Technology, Narashino, Chiba, Japan) ,  Kuribayashi K. (Shibaura Institute of Technology, Koto, Tokyo, Japan) ,  Ozawa S. (Chiba Institute of Technology, Narashino, Chiba, Japan) ,  Nagayama K. (Shibaura Institute of Technology, Koto, Tokyo, Japan) ,  Inatomi Y. (ISAS/JAXA, Sagamihara, Kanagawa, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 73-78  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体材料の過冷却融液における結晶成長の形態学的遷移の原因を明らかにするために,著者らはCO_2レーザ装置を電磁浮上装置(EML)を用いた非ドープSiとSi1at%Snの無容器凝固を行った。これらの材料の結晶化は,制御された過冷却下で達成することに成功した。成長している結晶の形状とSi1at%Snにおける過冷却の程度の間の関係は非ドープSi中のそれに類似であった。,板状針状結晶は低過冷却で観察されたが,中および高過冷却で成長する結晶の形状は大規模な樹枝状結晶に変化した。Si1at%Snの凝固したままの試料の粒径は,ドープしていないSiのそれに比べて著しく小さかった。試料の表面モルフォロジーは融液を滴下鏡面研磨したシリコンから成る典型的な双晶に関係した<110>デンドライトのチル板上に固化した。一方,過冷却状態から落下した試料は,双晶のない<100>デンドライトから成っていた。双晶面リエントラントエッジ機構と双晶のない機構である,二つの機構に基づいて計算した二次元核の核形成速度は過冷却の程度が臨界値より大きくなると,双晶に関係した<110>デンドライトから双晶のない<100>樹状突起への形態転移が起こることを示唆した。これらの結果は,過冷却融液中で成長するSiの形態変化の原因は,結晶-融液界面のラフニング転移が双晶機構から双晶機構に核形成動力学の遷移ではないことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 双晶 ,  樹枝状結晶 ,  *過冷却 ,  *結晶化 ,  核形成 ,  二次元 ,  粒径 ,  形態 ,  結晶成長 ,  *ケイ素 ,  ドーピング ,  *急冷凝固 ,  界面 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： *融液 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1樹枝状結晶 ,  A2融液からの成長 ,  B2半導体シリコン ,  成長モード ,  核形成 ,  凝固

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 過冷却 ,  融液 ,  急冷凝固 ,  結晶化動力学