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J-GLOBAL ID：201702235428587655   整理番号：17A1767271

フレキシブル基板上の還元酸化グラフェンチャンネルを用いた薄膜トランジスタのための溶液処理酸化ハフニウムドープシロキサン誘電体

Solution Processed Hafnium Oxide Doped Siloxane Dielectrics for a Thin Film Transistor with Reduced Graphene Oxide Channel on Flexible Substrate

著者 (5件)： KIM Yo-Han (Myongji Univ.) ,  JUNG Hunsang (Myongji Univ.) ,  LEE Kyungmin (Myongji Univ.) ,  YOON Tae-Sik (Myongji Univ., Kyohggi-do, KOR) ,  LEE Hyun Ho (Myongji Univ.)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 10  ページ： 7423-7428  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,溶液処理で作成した電子素子が多く開発され,フレキシブルエレクトロニクスに応用されている。また,電気回路の集積密度が増大するにつれて,酸化ハフニウム(HfO₂)などの高k材料がゲート誘電体として開発されている。本研究では,ポリエチレンテレフタレート(PET)基板上に溶液処理HfO₂ドープシロキサン誘電体を用いた薄膜トランジスタ(TFT)を作成し,HfO₂膜とTFTの電気特性を調べた。紫外線照射下でオゾンにより酸化熱処理した誘電膜は,大きな誘電率を示した。また,チャンネル材料として還元酸化グラフェンを用いたTFTを作成し,特性を調べた結果も報告した。

シソーラス用語： *フレキシブル基板 ,  グラフェン ,  酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  処理 ,  酸化ハフニウム ,  ドーピング ,  *誘電体 ,  *シロキサン ,  電子技術 ,  誘電材料 ,  ゲート絶縁膜 ,  誘電率 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： 還元酸化グラフェン ,  溶液処理 ,  フレキシブルエレクトロニクス ,  高k材料 ,  ゲート誘電体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： フレキシブル基板 ,  還元酸化グラフェン ,  チャンネル ,  薄膜トランジスタ ,  溶液処理 ,  酸化 ,  誘電体