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J-GLOBAL ID：201702235531749909   整理番号：17A1174650

H_2~+注入によって誘起された6H-SiC上の表面剥離の研究【Powered by NICT】

Study of surface exfoliation on 6H-SiC induced by H₂ ⁺ implantation

著者 (2件)： Zhang L. (Department of Physics, School of Science, Lanzhou University of Technology, Lanzhou 730050, China) ,  Li B.S. (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 508  ページ： 104-111  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiCウエハにおける剥離効率に及ぼすH_2~+注入により生成した格子損傷の影響を調べた。1.5×10~16から5×10~16H_2~+cm~ 2へのイオンフルエンス134keVH_2~+イオンを注入し,続いて973~1373Kの温度でアニールした<0001>6H-SiCウエハ。試料を光学顕微鏡と透過型電子顕微鏡の組み合わせによって研究した。15分間1373K焼なまし後のみ,H_2~+を注入した試料表面に生じるブリスタ及び剥離。注入フルエンスを1.5×10~16から3.75×10~16H_2~+cm~ 2例を対象に,剥離平均サイズは減少し,一方,剥離密度は増加した。5×10~16H_2~+cm~ 2の最高フルエンスでは,ほとんど剥離は試料表面で発生している。微細構造解析によると,剥離膨張効率は大きくH_2~+注入により誘起された格子損傷によって制御されることを示した。微小亀裂の深さは注入フルエンスに関係している。転位ループ,血小板の核形成と成長に及ぼす注入フルエンスの影響を調べた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 微小亀裂 ,  光学顕微鏡 ,  フルエンス ,  転位ループ ,  透過型電子顕微鏡 ,  微細構造 ,  血小板 ,  焼なまし ,  *炭化ケイ素 ,  核形成 ,  ブリスタリング
準シソーラス用語： 剥離膨張 ,  イオンフルエンス ,  *6H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： スマートカット ,  H_2~+注入 ,  透過型電子顕微鏡観察 ,  Exfoliation ,  ブリスタ

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  金属の放射線による構造と物性の変化  (BK16122N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 注入 ,  誘起 ,  6H-SiC ,  研究