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J-GLOBAL ID：201702235581673950   整理番号：17A1995795

数値解析を用いた誘導加熱TSSG法によるSiC結晶成長製造装置の最適化条件の探索

Numerical investigation for optimization of SiC crystal growth furnace by RF-heating TSSG method

著者 (5件)： 堀内鷹之 (大阪大 大学院) ,  WANG Lei (大阪大 大学院) ,  山本卓也 (東北大 大学院) ,  宇治原徹 (名古屋大 大学院) ,  岡野泰則 (大阪大 大学院)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 46th  ページ： ROMBUNNO.28p-P32  発行年： 2017年 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *溶液成長 ,  *種結晶 ,  単結晶 ,  最適化 ,  数値解析 ,  誘導加熱 ,  反応器 ,  Marangoni対流 ,  成長速度 ,  速度分布
準シソーラス用語： *TSSG法 ,  製造装置

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 数値解析 ,  誘導加熱 ,  TSSG法 ,  SiC ,  結晶成長 ,  製造装置 ,  最適化 ,  探索