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J-GLOBAL ID：201702235643026915   整理番号：17A1637422

新しく開発されたEBAC法による短故障位置特定法に関する研究【Powered by NICT】

Study on short failure localization approach by newly developed EBAC technique

著者 (5件)： Fuse Junichi (Science Systems Design Division, Hitachi High-Technologies Corporation, 1040, Ichige, Hitachinaka-shi, Ibaraki 312-0033, Japan}) ,  Sunaoshi Takeshi (Science Systems Design Division, Hitachi High-Technologies Corporation, 1040, Ichige, Hitachinaka-shi, Ibaraki 312-0033, Japan}) ,  Nara Yasuhiko (Science Systems Design Division, Hitachi High-Technologies Corporation, 1040, Ichige, Hitachinaka-shi, Ibaraki 312-0033, Japan}) ,  Kageyama Akira (Science Systems Design Division, Hitachi High-Technologies Corporation, 1040, Ichige, Hitachinaka-shi, Ibaraki 312-0033, Japan}) ,  Mizuno Takayuki (Science Systems Sales & Marketing Division, Hitachi High-Technologies Corporation, 1-24-14, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8717, Japan})
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短い故障解析の需要は半導体故障解析における増加している。は多くの短い故障解析法を提案した以前の研究から知られている。しかし,光学分割限界の事実に起因する最近の先進デバイスにおける短い破壊位置を同定することは極めて困難である。一方EBACはオープンまたは高抵抗故障を特定するための高分解能な方法として注目されている,短い破壊を同定するためのEBACのむしろ困難である。本研究では,新しいEBAC増幅器を開発し,位置は,従来の解析法よりも十分に明確な同定のための短い破壊事例を評価した。FIB,STEMまたはなどの次の段階物理的解析のための損傷位置を同定するためのEBAC信号の十分な分解能を持つ新しいEBAC増幅器の成功した使用を述べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *故障 ,  半導体 ,  故障解析 ,  分解能 ,  光学分割 ,  高分解能 ,  増幅器

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 開発 ,  故障 ,  研究