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J-GLOBAL ID：201702235690467931   整理番号：17A1142011

n型強磁性半導体(In,Fe)Asの価電子帯電子構造

Valence-Band Electronic Structure of n-type Ferromagnetic Semiconductor (In,Fe)As

著者 (11件)： KOBAYASHI Masaki (Univ. of Tokyo) ,  KOBAYASHI Masaki (Swiss Light Source) ,  AHN Le Duc (Univ. of Tokyo) ,  HAI Pham Nam (Univ. of Tokyo) ,  HAI Pham Nam (Tokyo Tech.) ,  HARADA Yoshihisa (Univ. of Tokyo) ,  SCHMITT Thorsten (Swiss Light Source) ,  FUJIMORI Atsushi (Univ. of Tokyo) ,  TANAKA Masaaki (Univ. of Tokyo) ,  OSHIMA Masaharu (Univ. of Tokyo) ,  STROCOV Vladimir N. (Swiss Light Source)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.8p-A413-2  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： N型半導体 ,  強磁性半導体 ,  インジウム化合物 ,  *鉄化合物 ,  ヒ化物 ,  *価電子バンド ,  ベリリウム ,  ドーピング ,  角度分解分光法 ,  X線光電子分光法 ,  バンド構造
準シソーラス用語： *ARPES ,  不純物バンド

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強磁性半導体 ,  Fe ,  価電子帯 ,  電子構造