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J-GLOBAL ID：201702235778609915   整理番号：17A1639028

多重溝を用いた高速回復SOI PiNダイオード【Powered by NICT】

Fast recovery SOI PiN diode with multiple trenches

著者 (6件)： Zhang Long (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Zhu Jing (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Zhao Minna (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Ding Desheng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Chen Jian (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096, Nanjing, Jiangsu, China) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, 210096, Nanjing, Jiangsu, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 405-413  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,500V SOI PiN横方向ダイオードを提案し,研究シミュレーションと実験結果を述べた。提案した構造は,シリコン領域に配置された複数の深い酸化物トレンチ(MDOT)を特徴としている。i層に位置する二DOT(T1とT2)は陰極-陽極電圧(V_CA)を遮断するために,ダイオードを可能にするそのi層長さを短くした。560Vの同様な破壊電圧(BV)を用いて,i層長さを提案MDOTダイオードの従来のダイオードの47μmから21.9μmに短縮された。短縮i層をi層に貯蔵されたキャリアの数の減少をもたらした。もう一つのDOT(T3)を提案MDOTダイオードの陽極領域で挿入し,P~+アノードと短絡した。T3は垂直磁場板として作用し,陽極領域で電位分布を如何に作り直し,逆回復過程中の枯渇を加速した。貯蔵キャリア加速枯渇の数減少のおかげで,提案したMDOTダイオード(211 ns)の逆回復時間(t_rr)は300Kで400cm~2の順方向電流密度で従来のダイオード(487 ns)と比較して56.7%減少させることができる。提案MDOTダイオードは,通常および他の報告されているダイオードよりも順方向電圧降下(V_F)と逆回復時間(t_rr)間の良好なトレードオフを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ダイオード ,  シミュレーション ,  電圧降下 ,  *高速度 ,  ケイ素 ,  電流密度 ,  電圧 ,  *多重化 ,  電位分布 ,  酸化物
準シソーラス用語： 回復時間 ,  回復過程 ,  垂直磁場 ,  絶縁破壊電圧 ,  トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： PiNダイオード ,  SOI ,  深い酸化物トレンチ ,  逆回復

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多重 ,  回復 ,  SOI ,  PINダイオード