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J-GLOBAL ID：201702235823458742   整理番号：17A1181649

SiC基板上の2.5GHz集積グラフェンRF電力増幅器【Powered by NICT】

2.5GHz integrated graphene RF power amplifier on SiC substrate

著者 (6件)： Hanna T. (IMS Laboratory, CNRS-UMR 5218, University of Bordeaux, Talence, France) ,  Deltimple N. (IMS Laboratory, CNRS-UMR 5218, University of Bordeaux, Talence, France) ,  Khenissa M.S. (IEMN Laboratory, CNRS-UMR 8520, University of Lille, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Pallecchi E. (IEMN Laboratory, CNRS-UMR 8520, University of Lille, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Happy H. (IEMN Laboratory, CNRS-UMR 8520, University of Lille, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Fregonese S. (IMS Laboratory, CNRS-UMR 5218, University of Bordeaux, Talence, France)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 127  ページ： 26-31  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,SiC上に熱蒸着を用いて作製したグラフェンFETに基づく2.5GHz集積化電力増幅器の設計について報告した。グラフェン高周波電力増幅器の大信号研究では,8.9dBの電力利得が達成され,報告された最大出力電力および電力付加効率はそれぞれ5.1dBmと2.2%であった。さらに,グラフェンとSi CMOS増幅器を比較した。結論は,増幅器の性能指数を最適化するための技術向上に向けて導いた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  性能指数 ,  電力付加効率 ,  真空蒸着 ,  最適化 ,  *グラフェン ,  CMOS ,  *電力 ,  *電力増幅器 ,  *増幅器 ,  HF【周波数】 ,  回路設計
準シソーラス用語： 大信号 ,  グラフェンFET ,  *炭化ケイ素基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： グラフェン ,  RF電力増幅器 ,  回路設計

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC基板 ,  集積 ,  グラフェン ,  RF ,  電力増幅器