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J-GLOBAL ID：201702235931562568   整理番号：17A1002983

ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO₂を集積した不揮発性SRAM

著者 (3件)： 小林正治 (東大 生産技研) ,  上山望 (東大 生産技研) ,  平本俊郎 (東大 生産技研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 166(SDM2017 31-49)  ページ： 45-48  発行年： 2017年07月24日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 1μW級の低消費電力性能が求められるIoTデバイスにおいては,待機時にはほぼすべてのモジュールの電源を切り待機時のリーク電力を削減する必要がある。そのためには電源を切る前の状態を保持し電源投入後すぐに前の状態に復帰できるノーマリーオフコンピューティング技術が重要となる。本研究では,高速でかつ低電圧・低消費電力動作が期待される不揮発性SRAMに注目し,CMOSと整合性の高い強誘電体HfO₂キャパシタを集積した不揮発性SRAMを試作・実証した。9nmという極めて薄い強誘電体HfO₂薄膜での集積化技術によって,従来の強誘電体で問題となっていた不揮発性SRAMの微細化の問題を解決できる可能性が示唆された。(著者抄録)

シソーラス用語： *インターネット ,  *相互接続 ,  *回路特性 ,  *不揮発性メモリ ,  *SRAM ,  強誘電体 ,  *酸化ハフニウム ,  *消費電力 ,  漏れ電流 ,  *高速度 ,  電圧 ,  *コンデンサ ,  *集積 ,  *誘電体薄膜 ,  回路設計
準シソーラス用語： *IoT ,  ノーマリーオフ ,  低電力 ,  低電圧 ,  強誘電体キャパシタ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (8件)：

• T. Hiramoto, K. Takeuchi, T. Mizutani, A. Ueda, T. Saraya, M. Kobayashi, Y. Yamamoto, H. Makiyama, t. Yamashita, H. Oda, S. Kamohara, N. Sugii, and Y. Yamaguchi, ′′Ultra-Low Power and Ultra-Low Voltage Devices and Circuits for IoT Applications′′, Silicon Nano Workshop (SNW) 2016, pp.146-147.
• M. Kobayashi, N. Ueyama, K. Jong, and T. Hiramoto, ′′Experimental study on polarization-limited operation speed of negative capacitance FET with ferroelectric HfO2′′, International Conference on Electron Devices (IEDM) 2016, pp.314-317.
• S. S. Eaton, D. B. Butler, M. Parris, D. Wilson, and H. McNeillie, ′′A Ferroelectric Nonvolatile Memory′′, International Solid State Circuit Conference (ISSCC) 1988, pp130-131.
• T. Miwa, J. Yamada, H. Koike, H. Toyoshima, K. Amanuma, S. Kobayashi, T. Tatsumi, Y. Maejima, H. Hada, and T. Kunio, ′′NV-SRAM: A Nonvolatile SRAM with Backup Ferroelectric Capacitors′′, IEEE J. of Solid-State Circ., 36 3 pp.522-527 (2001).
• S. Masui, T. Ninomiya, M. Oura, W. Yokozeki, K. Mukaida, and S. Kawashima, ′′A Ferroelectric Memory-Based Secure Dynamically Programmable Gate Array′′, IEEE. J. of Solid-State Circ., 38 5 pp.715-725 (2003)

タイトルに関連する用語 (6件)： ノーマリーオフ動作 ,  強誘電体 ,  HfO2 ,  集積 ,  不揮発性 ,  SRAM