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J-GLOBAL ID：201702235931988653   整理番号：17A0462194

赤外線検出のためのInAs/InAsSb超格子へのアンチモン取込みの研究について

On the study of antimony incorporation in InAs/InAsSb superlattices for infrared sensing

著者 (3件)： Haugan Heather J. (Air Force Research Laboratory, Materials and Manufacturing Directorate, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433) ,  Brown Gail J. (Air Force Research Laboratory, Materials and Manufacturing Directorate, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433) ,  Peoples Joseph A. (Air Force Research Laboratory, Materials and Manufacturing Directorate, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 2  ページ： 02B107-02B107-4  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/InAsSb超格子(SL)を利用した先進的赤外線検出素子材料が,この材料系で観測される長い少数キャリア寿命のために浮上してきている。しかし,Sb偏析による組成と寸法の変化が,検出素子の性質を当初の設計から変えるので,SL中のSb組成の正確な制御が,この新規の最先端材料を前進させる上で必須である。本研究では,高性能SL材料を実現するために,成長中のSb偏析を低減できるエピタキシャル条件を調査した。中赤外ギャップ向けのSL構造(公称77Å InAs/35Å InAs_0.7Sb_0.3)をエピタキシャルパラメータの最適化のために用いた。混合陽イオン合金の成長は,Sb表面とAs_xとのポテンシャル反応のために複雑なので,基板温度(T_s),およびヒ素のクラッカ温度(T_As)を,Sb表面でのAs_xの反応性を制御するために変化させた。実験結果によると,検討した最も低いT_s(400°C)で成長したSL試料が,InAs_1-xSb_x層において最も高いモル比(x~0.3)を持ち,これはT_sが400から440°Cに高まると14%減少する。この減少は,InAsSb成長中のAs-Sb交換過程を通じたSb表面の偏析に起因する。この取込みは低いT_Asほど増加するが,SL層の結晶品質は850°C以下のT_Asで,成長前面でのAs₄の吸着係数が低いため急激に劣化する。設計組成とSb偏析に関係した層幅の変化は,歪みの平衡を混乱させ,検出素子の性能に大きな影響を及ぼすので,Sbの偏析を防止するための更なる研究が必要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *人工超格子 ,  *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  インジウム化合物 ,  *アンチモン化物 ,  *赤外検出器 ,  *化学組成 ,  *偏析 ,  パラメータ ,  最適化 ,  *基板温度
準シソーラス用語： *アンチモン化ひ化インジウム ,  赤外線検出器

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 赤外線 ,  InAs ,  InAsSb ,  超格子 ,  アンチモン ,  取込み ,  研究