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J-GLOBAL ID：201702236030332805   整理番号：17A0634887

金ナノ粒子アレイにおいて室温で観測されたゲート同調負性微分抵抗

Gate-tuned negative differential resistance observed at room temperature in an array of gold nanoparticles

著者 (7件)： HUONG Tran Thi Thu (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  MATSUMOTO Kazuhiko (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  MORIYA Masataka (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  SHIMADA Hiroshi (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  KIMURA Yasuo (Tokyo Univ. Technol., Tokyo, JPN) ,  HIRANO-IWATA Ayumi (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  MIZUGAKI Yoshinao (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 4  ページ： 268,1-5  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金ナノ粒子を用いて島構造を持つ単一電子デバイスを簡単な方法により製作し,その特性を調べた。先ず,電子ビームリソグラフィーと金の熱蒸着を用いてSiO₂/Si基板上にドレイン,ソース,ゲート電極を作製し,次に径3及び5nmの金ナノ粒子のトルエン溶液をデバイス上に垂らして島アレイを形成させ,電極間の電流径路を達成した。デバイスの電気的特性としてドレイン,ソース,ゲート電流をドレイン-ソース電圧の関数として測定した。その結果,ドレイン,ソース電流には負性微分抵抗(NDR)挙動が現れた。NDRを特徴づけるピーク-谷電流値はゲート電圧により変えられた。このゲート同調NDR特性はトンネル接合アレイのシミュレーションモデルにより部分的に再現された。

シソーラス用語： *ナノ粒子 ,  *アレイ ,  電子ビームリソグラフィー ,  真空蒸着 ,  島状構造 ,  電流電圧特性 ,  *負性抵抗 ,  電圧 ,  トンネル接合 ,  *単一電子トランジスタ ,  モンテカルロ法 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： *金ナノ粒子 ,  *負性微分抵抗 ,  ゲート電圧

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金ナノ粒子 ,  アレイ ,  室温 ,  観測 ,  ゲート ,  同調 ,  負性微分抵抗