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J-GLOBAL ID：201702236033963422   整理番号：17A1186014

熱広がり抵抗解析と組み合わせた走査熱顕微鏡による薄膜の熱伝導率の測定【Powered by NICT】

Measuring thermal conductivity of thin films by Scanning Thermal Microscopy combined with thermal spreading resistance analysis

著者 (4件)： Juszczyk J. (Institute of Physics, Silesian University of Technology, Konarskiego 22B, 44-100 Gliwice, Poland) ,  Kazmierczak-Balata A. (Institute of Physics, Silesian University of Technology, Konarskiego 22B, 44-100 Gliwice, Poland) ,  Firek P. (Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Poland) ,  Bodzenta J. (Institute of Physics, Silesian University of Technology, Konarskiego 22B, 44-100 Gliwice, Poland)
資料名： Ultramicroscopy  (Ultramicroscopy)
巻： 175  ページ： 81-86  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0972A  ISSN： 0304-3991  CODEN： ULTRD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜の熱特性を測定するが,最も頻繁に遭遇する問題の一つは,測定した信号に及ぼす基板熱特性の影響とその分離が必要である。本研究では薄層の熱伝導率κを決定するための手法を提示した。基板上の単層から成る系の熱広がり抵抗解析と組み合わせた走査型熱顕微鏡(SThM)測定に基づいている。アプローチはSThM信号に対する基板熱特性の影響を考慮に入れると薄膜κの真の値を推定することができた。無次元パラメータの関数である問題の解析解に基づいており,比較的簡単な積分方程式の数値解を必要とする。解析は無次元パラメータの溶液を利用するので,任意の基板-層システムに用いることができる。例として,この方法を12~100nmの厚さの4種類の異なる薄層の熱伝導率の定量に適用した。推定された最終κ値の不確実性に及ぼすモデルパラメータの影響を解析した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 解析的解法 ,  *薄膜 ,  *広がり抵抗 ,  積分方程式 ,  *熱伝導率 ,  *走査 ,  数値解法 ,  熱特性 ,  *顕微鏡 ,  不確実性 ,  単一層
準シソーラス用語： モデルパラメータ ,  無次元パラメータ ,  走査型熱顕微鏡 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 走査型熱顕微鏡法 ,  熱伝導率 ,  熱測定 ,  熱プローブ ,  熱広がり抵抗 ,  薄膜

分類 (3件)： 熱伝導  (PA02020Z) ,  その他の熱的変量の計測法・機器  (AD06040R) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 広がり抵抗 ,  解析 ,  走査 ,  顕微鏡 ,  薄膜 ,  熱伝導率