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J-GLOBAL ID：201702236063345990   整理番号：17A1077311

原子層堆積法により調製したIn-Ga-Zn-Oアクティブチャネルを用いた酸化物薄膜トランジスタの素子特性に及ぼす蒸着温度の影響

Effects of Deposition Temperature on the Device Characteristics of Oxide Thin-Film Transistors Using In-Ga-Zn-O Active Channels Prepared by Atomic-Layer Deposition

著者 (5件)： YOON Sung-Min (Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  SEONG Nak-Jin (NCD Co. Ltd., Daejeon, KOR) ,  CHOI Kyujeong (NCD Co. Ltd., Daejeon, KOR) ,  SEO Gi-Ho (Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  SHIN Woong-Chul (NCD Co. Ltd., Daejeon, KOR)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 27  ページ： 22676-22684  発行年： 2017年07月12日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)法により調製したIn-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜の物理的・電気的特性を実証し,ALD温度の影響を調べた。光学バンドギャップは,ALD温度上昇と共に減少した。酸素欠損のような酸素関連欠陥の量は,ALD温度の上昇とともに増加した。電気伝導度測定から,種々の温度で調製したIGZO薄膜の欠陥構造,および伝導機構を含む電気的性質が顕著な変化を示すことを見出した。150°Cで作製したIGZOチャネルを用いたデバイスの閾値電圧シフトもまた,正バイアスおよび負バイアス照射ストレス条件下で,0.6および-3.2Vに効果的に低減することができた。これらの得られた特性は,スパッタ蒸着のIGZO TFTのものに匹敵した。

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  金属酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  化合物半導体 ,  電気的性質 ,  物理的性質 ,  点欠陥 ,  電気伝導率 ,  温度依存性 ,  *酸化インジウム ,  X線光電子分光法 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  TFT【トランジスタ】 ,  欠陥構造 ,  原子層堆積 ,  酸化物半導体 ,  酸素欠陥 ,  酸素欠損 ,  蒸着温度 ,  素子特性 ,  電気伝導度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子層堆積法 ,  調製 ,  In-Ga-Zn-O ,  チャネル ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  素子特性 ,  蒸着温度