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J-GLOBAL ID：201702236170362652   整理番号：17A0399733

高出力条件での窒素/メタン/水素プラズマを用いて成長させたナノ結晶ダイヤモンド膜中の結合水素欠陥の研究【Powered by NICT】

Investigation of bonded hydrogen defects in nanocrystalline diamond films grown with nitrogen/methane/hydrogen plasma at high power conditions

著者 (7件)： Tang C.J. (Department of Physics, Jiangsu Key Laboratory for Advanced Functional Materials, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, PR China) ,  Tang C.J. (Department of Physics, I3N (Institute for Nanostructures, Nanomodelling and Nanofabrication), University of Aveiro, Campus Universitario de Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal) ,  Hou Haihong (Department of Physics, Jiangsu Key Laboratory for Advanced Functional Materials, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, PR China) ,  Fernandes A.J.S. (Department of Physics, I3N (Institute for Nanostructures, Nanomodelling and Nanofabrication), University of Aveiro, Campus Universitario de Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal) ,  Jiang X.F. (Department of Physics, Jiangsu Key Laboratory for Advanced Functional Materials, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, PR China) ,  Pinto J.L. (Department of Physics, I3N (Institute for Nanostructures, Nanomodelling and Nanofabrication), University of Aveiro, Campus Universitario de Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal) ,  Ye H. (School of Engineering and Applied Science, Aston University, Aston Triangle, Birmingham B4 7ET, UK)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 460  ページ： 16-22  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,3.0~4.0kWの範囲の高いマイクロ波パワーと5kWマイクロ波プラズマCVD装置を用いた従来の4%CH_4/H_2プラズマ中に少量の純粋なN_2添加により成長させたナノ結晶ダイヤモンド(NCD)膜中の結合水素欠陥の取込に及ぼすN_2添加物としてのそのようないくつかの成長パラメータの影響を調べた。純N_2添加で製造したNCD膜中の水素点欠陥の導入形態と含有量を初めてFourier変換赤外(FTIR)分光法を用いて分析した。大量の水素に関係した欠陥は47nmから31nmまでの粒径29から87μm厚範囲N_2を添加した全ての生成したNCD膜で検出された。さらに,特異的な新しいH関連鋭い吸収ピークは高出力で純N_2/CH_4/H_2プラズマで成長したNCD膜に現れ,3.0kW以上のパワーで強くなり,2920cm~ 1ピーク,CVDダイヤモンド膜中に一般的に見られるよりも強かった。これらの実験による知見に基づいて,水素欠陥形成を含むNCD膜の成長に及ぼす高出力と純窒素添加の役割を解析し,考察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 粒径 ,  *プラズマ ,  点欠陥 ,  *水素 ,  *ダイヤモンド ,  Fourier変換 ,  マイクロ波
準シソーラス用語： 窒素ドーピング ,  欠陥形成 ,  CVDダイヤモンド ,  *ナノダイヤモンド ,  マイクロ波プラズマCVD ,  *ナノ結晶ダイヤモンド膜 ,  *水素プラズマ ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1欠陥 ,  A1ナノ構造 ,  A3マイクロ波プラズマ化学蒸着過程 ,  B1ダイヤモンド ,  B1ナノ材料

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒素 ,  メタン ,  水素プラズマ ,  成長 ,  ナノ結晶ダイヤモンド膜 ,  水素 ,  欠陥 ,  研究