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J-GLOBAL ID:201702236282382400   整理番号:17A1370570

As-Teカルコゲナイド薄膜の特性にプラズマ支援化学気相蒸着パラメータが及ぼす影響

Influence of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Parameters on Characteristics of As-Te Chalcogenide Films
著者 (10件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 1417-1429  発行年: 2017年09月 
JST資料番号: H0836A  ISSN: 0272-4324  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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種々の化学組成と相を有するAs-Teカルコゲナイド薄膜を,プラズマ支援化学気相蒸着により初めて製作した。0.1Torrの低圧低温非平衡RF(40MHz)プラズマ中にヒ素とテルルの蒸気を入射し,直接相互作用させて薄膜を成長させた。プラズマパラメータの径方向分布はLangmuir探針で測定した。材料ガス組成を変化させ,薄膜の相(AsTeとAs2Te3)と構造の変化を調べた。
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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