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J-GLOBAL ID：201702236325742055   整理番号：17A1169730

シリコン中の光活性化Cu欠陥の特性評価:金属析出物の再結合活性との比較【Powered by NICT】

Characterization of light-activated Cu defects in silicon: Comparison with the recombination activity of metallic precipitates

著者 (5件)： Inglese Alessandro (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, 02150 Espoo, Finland) ,  Vahlman Henri (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, 02150 Espoo, Finland) ,  Kwapil Wolfram (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg im Breisgau, Germany) ,  Schon Jonas (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg im Breisgau, Germany) ,  Savin Hele (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, 02150 Espoo, Finland)
資料名： Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics  (Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics)
巻： 14  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201700103  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1400A  ISSN： 1862-6351  CODEN： PSSCGL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅汚染の存在は照明に曝露したp型シリコンの少数キャリア寿命を劣化させることが知られている。本論文では,少数キャリア寿命に及ぼす金属析出物の影響を定義する定量的に再結合モデルを用いて意図的に汚染されたp型シリコン中の光活性化銅欠陥の再結合活性を解析した。モデルと実験データの間の優れた一致は,(i)Cu析出物の形成は,Cu LIDの背後にある可能な根本原因であり,(ii)この研究で調べた試料では,析出物半径は10~8 10~10cm~ 3の範囲であると推定され対応する密度を持ついくつかの十nmの数の間で変化することを示した。これら結果の更なる証拠を,温度依存寿命データの解析から得られた。光活性化銅欠陥にここで適用したが,本論文で記述した方法は,他の遷移金属(例えば,Fe又はNi)に起因する寿命析出物の特性化に適用することができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 遷移金属 ,  *キャラクタリゼーション ,  結合モデル ,  *ケイ素 ,  鉄 ,  *析出物 ,  *銅 ,  ニッケル ,  温度依存性
準シソーラス用語： 少数キャリア寿命 ,  *結合活性 ,  *光活性化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 銅不純物 ,  Cu LID ,  欠陥の特性評価 ,  金属析出物 ,  シリコン

分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  光活性化 ,  Cu ,  欠陥 ,  特性評価 ,  析出物 ,  結合活性